按照书上来看，3ev以下是半导体，5ev以上是绝缘体，那3-5ev的呢？

半导体和绝缘体之间本身就没有绝对的界限，不同情况下可以有不同说法，比如一些氧化物：ZnO2(4.9eV)、TiO2(3.2eV)等等的，这些氧化物在一般情况下完全可以把它们看做绝缘体看待，但有些情况，比如可以用他们制成气敏传感器、某些MOS器件等等的，这里就把它们当做半导体来看待了。不需要区分的那么清楚。

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带中少量电子，跃迁到上一个空带的底部附近，所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电，所以常温下具有一定的导电能力，通常把满带中，少量电子跃迁后，剩余的大量电子对电流的贡献，用少量的带正电的准粒子加以等效描述，称为空穴。

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

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