1、华天科技:项目总投资80亿元,分三期建设,主要进行存储器、MEMS、人工智能等集成电路产品的封装测试。
2、深科技:深科技致力于提供计算机与存储、通讯与消费电子、半导体、医疗器械、汽车电子、商业与工业产品的制造服务和自动化设备、计量系统及物联网系统的研发生产服务。
拓展资料:
按功能的不同,半导体存储器可分为随机存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和串行存储器三大类。
1、随机存储器
对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式,即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。随机存储器主要用于组成计算机主存储器等要求快速存储的系统。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息,如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定,当器件接通时为“1”,断开时为“0”,反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中,光刻时便转移到硅芯片上。这样制备成的称为掩模只读存储器。这种存储器装成整机后,用户只能读取已存入的数据,而不能再编写数据。其优点是适合于大量生产。但是,整机在调试阶段,往往需要修改只读存储器的内容,比较费时、费事,很不灵活(见半导体只读存储器)。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构,犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
首先是芯片技术的发展趋势。存储芯片是半导体存储器的重要组成部分,其技术的发展决定了新一代存储器的容量和性能。主流的存储芯片有DRAM存储芯片和NAND闪存芯片,其中DRAM的技术发展路径是通过工艺小型化来提高存储密度。工艺进入20nm后,制造难度大大提高。
其次是半导体制造设备细分。在国内一些晶圆厂的采购中,去胶设备国产化率接近90%,是半导体制造设备中国产化率最高的。中国半导体行业正在经历下游需求爆发带来的行业复苏和国内替代机会。非晶半导体不是物理加工,而是用化学手段直接改变原子的位置,使原来的周期性发生变化,形成非晶硅。制造过程简单,易于 *** 作,成本低,但这种物品对环境有污染,且难以分解。
再者是新型存储介质的发展趋势。新的存储介质结合了DRAM存储器的高速存取和NAND闪存断电后保留数据的特性,可以打破存储器和闪存的界限,将两者合二为一。同时,新型存储介质功耗更低、寿命更长、速度更快,因此被业界视为未来闪存和内存的替代品。然而,新的存储介质行业尚未成熟。
要知道的是中国作为半导体消费大国,内需市场依然巨大。虽然中国半导体产业发展起步较晚,与国际大公司相比仍有差距,但不可否认,中国是全球最大的集成电路产品消费市场,也是全球集成电路产业发展的重要支撑。近年来,国内半导体技术企业逐步攻克了一系列关键技术难题。大部分关键设备类型可实现国产化配套,主要零部件配套体系初步形成。一些设备已经进入国际采购系统。
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