芯片中的二极管到底是如何实现单向导电的

芯片中的二极管到底是如何实现单向导电的,第1张

晶体管是构建芯片的基石,一块芯片上集成有几十亿甚至上百亿的晶体管。芯片可以说相当于人类的大脑,那么晶体管也就相当于人脑的神经元。

我们知道芯片是用来处理二进制数字信号,它可以将二进制数字信号转换成我们能够看懂的信息,芯片又是通过晶体管管来完成二进制数字信号的转换,晶体管中的二极管的单向导电对二进制的转换起着决定性的作用。那么二极管又是如何单向导电的呢?

以下内容将为大家解开疑惑。

01 P型与N型半导体

二极管分别由P型半导体和N型半导体组成。P型半导体是在硅中掺杂了硼,N型半导体是在硅中掺杂磷。我们知道硅原子最外层有4个电子,而硼的原子最外层只有3个电子,4个电子无法与3个电子完全配对,就会形成一个空穴,在P型半导体中若有多个硼原子就会有多个空穴。磷最外层电子为5个,与最外层只有4个电子的硅配对后,还会多出一个自由电子,在N型半导体中若有多个磷原子就会有多个自由电子。

02 PN结

但是在P型和N型半导体交界面处会发生电子和空穴的扩散,靠近交界处的N型区中的自由电子越过交界面扩散到P型区,靠近交界处的P型区的空穴越过交界面扩散到N型区。扩散之后,N型区的磷失去了电子,就会变为带正电荷的磷离子,P型区的硼跑掉了一部分空穴而得到了电子,就变为了带负电荷的硼离子。从而扩散后在交界面处就形成了PN结。在PN 结内,由于存在了正负电荷,就会产生一个由正电荷指向负电荷(N区指向P区)的电场,称为内建电场(又称势垒电场)。由于势垒的存在就阻挡了其他载流子(电子或离子)的进一步迁移,会使PN结处于稳定状态。

03 PN结单向导电原理

假如我们在连接好的P型N型半导体两端加一电压,使N端接正极,P端接负极,就会在P型N型半导体处形成一外加电场,那么此时的外加电场方向与内建电场的方向相同,N型中的负电载流子会向电源正极方向迁移,而P型中的正电载流子会向电源负极方向迁移,结果就是使势垒电场范围扩大,即PN结扩大,从而使电流很难通过二极管。

若我们使N端接负极,P端接正极,此时的内建电场会与外加电场方向相反。若两部分电场强度相当则会相互抵消,不会有电流通过。若外加电场强度大于内建电场,内部载流子就会突破势垒的阻碍,N区内的负电载流子大量流入电源正极,P区内的正电载流子大量流入负极,这时就形成了电流。

封装测试厂从来料(晶圆)开始,经过前道的晶圆表面贴膜(WTP)→晶圆背面研磨(GRD)→晶圆背面抛光(polish)→晶圆背面贴膜(W-M)→晶圆表面去膜(WDP)→晶圆烘烤(WBK)→晶圆切割(SAW)→切割后清洗(DWC)→晶圆切割后检查(PSI)→紫外线照射(U-V)→晶片粘结(DB)→银胶固化(CRG)→引线键合(WB)→引线键合后检查(PBI);在经过后道的塑封(MLD)→塑封后固化(PMC)→正印(PTP)→背印(BMK)→切筋(TRM)→电镀(SDP)→电镀后烘烤(APB)→切筋成型(T-F)→终测(FT1)→引脚检查(LSI)→最终目检(FVI)→最终质量控制(FQC)→烘烤去湿(UBK)→包装(P-K)→出货检查(OQC)→入库(W-H)等工序对芯片进行封装和测试,最终出货给客户


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