答案一:楼主,你要把这个半导体看成一个整体,他们扩散啊,复合啊,什么的都是他们的“内战”,若是让你测出了电压,那还不逆天了,都成电源了...这个应该能理解吧
答案二:楼主应该明白内电场是怎么产生的,是由于耗尽层的存在,其实楼主说的没错,若外加电压足够大,耗尽层是没有了,也没有内电场了,那就是击穿了,也不再是二极管了...
答案三:楼主可以这么认为(我以前就这么想的),外加反电压,负极结P区,电子把空穴复合了,正极接N区,电子减少,使得耗尽层变长,不导电啊...
楼主若还有什么问题再联系吧,不过我实话,你看到后面,发现前面的这种粒子材料问题,基本用不上,所以不要太耗时间在这个上面,若楼主还是纠结于此,可以借一本半导体材料书籍好好看看...还有楼主看完答案,记得采纳问题,不是赞成...
这是因为半导体器件的主要组成单元是PN结,PN结的显著特征是单向导电性,因为PN结的反向截止区是由耗尽层变宽导致截止,而这个过程是需要一定的时间的,如果频率太高导致时间周期小于截止时间就可能造成PN结失去单向导电性,导致半导体器件不能正常工作,所以半导体器件有最高工作频率的限制。(1)原子中,离原子核越远的电子层其能量越高,所以Si原子中M电子层能量最高;该原子中含有3个s轨道、6个p轨道,所以一共有9个轨道,故答案为:M;9;
(2)硅属于亲氧元素,在自然界中不能以单质存在,主要以二氧化硅和硅酸盐存在,故答案为:二氧化硅;
(3)硅单质中硅硅之间以共价键结合,硅晶胞中每个顶点上有1个Si、面心是有1个Si、在晶胞内部含有4个Si原子,利用均摊法知,面心提供的硅原子个数=6×
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故答案为:共价键;3;
(4)可使湿润的红色石蕊试纸变蓝的气体是氨气,再根据元素守恒知还生成氯化镁MgCl2,所以反应方程式为:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+4NH3↑+2MgCl2,
故答案为:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+4NH3↑+2MgCl2;
(5)①键能越大形成的化学键越稳定,C-C键和C-H键的键能大于Si-Si键和Si-H键的键能,所以
C-C键和C-H键较强,所形成的烷烃稳定,而硅烷中Si-Si键和Si-H键的键能较低,易断裂,导致长链硅烷难以生成,故答案为:C-C键和C-H键较强,所形成的烷烃稳定,而硅烷中Si-Si键和Si-H键的键能较低,易断裂,导致长链硅烷难以生成;
②键能越大形成的化学键越稳定,CC-H键的键能大于Si-H键的键能,而Si-H键的键能却远小于Si-O键,所以Si-H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si-O键,
故答案为:C-H键的键能大于C-O键,C-H键比C-O键稳定,而Si-H键的键能却远小于Si-O键,所以Si-H键不稳定而倾向于形成稳定性更强的Si-O键;
(6)根据图片知,每个三角锥结构中Si原子是1个,O原子个数=2+2×
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故答案为:1:3;[SiO3]n2n- (或SiO32-).
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