隧道击穿和雪崩击穿是什么情况啊？

隧道击穿和雪崩击穿是pn结两种不同的击穿机制。pn结在反向高压下会发生击穿。其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速，获得极大动能。它们与势垒区的晶格原子碰撞，使其价电子电离，获得新的自由电子和空穴，由此1生2,2生4，载流子不断倍增，最终导致pn结击穿。隧道击穿也叫齐纳击穿，可以用量子力学中的隧道效应来解释，随着反向偏压的不断增大，势垒区的价电子势能增大，而势垒区宽度降低，此时pn结穿两端电子与空穴穿过势垒的几率增大，由此大量载流子隧穿而引起反向电流增大，击穿pn结。随着反向电压的不同，隧道击穿与雪崩击穿可单独或同时存在，具体可以参见教科书《半导体物理基础》。

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

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