semig4级别

电子级硫酸按照超净高纯试剂SEMI国际标准等级划分，可分为G1、G2、G3、G4、G5五个类别，其中，G1属于低档产品，G2属于中低档产品，G3属于中高档产品，G4和G5属于高档产品，G2、G3、G4、G5四个等级分别对应国内产品纯度等级UP、UP-S、UP-SS、UP-SSS。

电子级硫酸又称高纯度硫酸、超纯硫酸，属于超净高纯试剂，是一种微电子技术发展过程中不可缺少的关键基础化学试剂，是半导体工业常用的八大化学试剂之一。电子级硫酸广泛用于半导体、超大规模集成电路的装配和加工过程，主要用于硅晶片的清洗和刻蚀，可有效去除晶片上的杂质颗粒、无机残留物和碳沉积物。

70℃至100℃。半导体硫酸去胶温度在70℃至100℃，如果溶液不是新配溶液，需向溶液中加入150ml双氧水溶液。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。

经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶。在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。 使用有机溶剂去胶，主要是使光刻胶溶于有机溶剂中，从而达到去胶的目的。有机溶剂去胶中使用的溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂。无机熔液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点（主要由碳和氢等元素构成的化合物），通过使用一些无机溶剂（如硫酸和双氧水等），将光刻胶中的碳元素氧化称为二氧化碳，这样就可以把光刻胶 从硅片的表面除去。不过，由于无机熔液会腐蚀AL，因此去除AL上的光刻胶必须使用有机溶剂。 干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态的CO，CO2和H2O可以由真空系统抽走，相对于湿法去胶，干法去胶的效果更好，但是由于干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法去胶与湿法去胶经常搭配使用。

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