晶体缺陷种类与半导体电的影响? 会答了 给高分。

半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。从化学的观点看，晶体中的杂质也是缺陷，杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下，晶体缺陷是指结构缺陷。

点缺陷(零维缺陷) 主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。

线缺陷(一维缺陷) 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。

面缺陷(二维缺陷) 包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。

体缺陷(三维缺陷) 包括空洞和微沉淀，是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。

微缺陷 除上述四类结构缺陷外，还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷，称为微缺陷，目前已发现的微缺陷有三类：(1)生长微缺陷；(2)热诱生微缺陷；(3)雾缺陷。

晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻，对半导体晶体能阶也有影响，对载流子数目存在影响

晶体缺陷在半导体材料方面的应用：如ZnO , Fe3O4 , 掺杂半导体 , BaTiO3半导瓷等

答的不全， 仅作为参考

【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性，起到有益的作用；而位错等缺陷的存在，会使材料易于断裂，比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度，降低至几十分之一。【晶体缺陷】在理想完整的晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。分为：点缺陷、线缺陷（位错）、面缺陷、体缺陷四种。

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