温度对半导体激光器P-I特性有什么影响

半导体激光器是温敏器件，对温度变化相当敏感。温度的变化会致使其输出光性能发生变化，甚至影响使用寿命。温度升高，阀值增大，输出光功率减小。驱动电流越大，温度变化引起光功率的变化越大。温度变化会使半导体激光器的P-I曲线呈非线性畸变。

实验原理: 半导体激光器的模式分为空间模和纵模(轴模)。空间模描述围绕输出光束轴线某处的光强分布,或者是空间几何位置上的光强(或光功率)的分布,也称远场分布纵模则表示一种频谱,它反映所发射的光束其功率在不同频率(或波长)分量上的分布。二者都可能是单模或者出现多个模式(多模)。边发射半导体激光器具有非圆对称的波导结构,而且在垂直于异质结平面方向(称横向)和平行于结平面方向(称侧向)有不同的波导结构和光场限制情况。横向上都是异质结构成的折射率波导,而在侧向目前多是折射率波导,但也可采取增益波导,因此半导体激光器的空间模式又有横模与侧模之分。

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。

非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

扩散电容：扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为Cd。

结电容：势垒电容与扩散电容之和为PN结的结电容Cj。

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