半导体材料中，离子注入与离子掺杂有什么区别？

离子注入是离子参杂的一种。

随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺。

离子注入具有如下的特点:

①可以在较低温度下（400℃）进行，避免高温处理；

②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深，更好的实现对杂质分布形状的控制。而且杂质浓度不受材料固溶度的限制；

③可选出一种元素进行注入，避免混入其他杂质；

④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层。同一晶片上杂质不均匀性优于1％，且横向掺杂比扩散小的多；

⑤控制离子束的扫描区域，可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术。

在半导体器件的生产中，离子注入技术与其它掺杂工艺相比，具有很多优点：

1）注入的杂质不受靶材溶解度的限制。

2）可以精确地控制掺杂杂质的数量和掺杂深度，保证了掺杂的精度和重复性，提高了成品率。

3）离子注入不会产生类似热扩散那样严重的横向扩散。

4）离子注入在大面积掺杂区域上具有非常好的均匀性。

5）由于离子掺杂是低温过程，因此，特别适用于易被热分解的半导体材料，如化合物半导体的掺杂。

6）掺杂杂质纯度高。

7）高能量入射离子能够穿透一定厚度的掩蔽膜进行掺杂。

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