pn结内建电势差公式

pn结的内建电势差计算公式为

第一种形式：

VD=kT/q*ln(nno*ppo/n²i) ①

VD 内建电位差

T 绝对温度值

q 电子电荷量绝对值

nno n型半导体电子浓度

ppo p型半导体空穴浓度

ni 本征半导体电子浓度

第二种形式：

VD=kT/q*ln(ND*NA/n²i) ②

ND 施主杂质浓度

NA 受主杂质浓度

第三种形式：

VD=kT/q*ln(ppo/pno) ③

VD=kT/q*ln(nno/npo) ④

pno n型半导体空穴浓度

npo p型半导体电子浓度

从上述计算公式可以看出与内建电位差相关的因素。

锗型半导体的内建电位差约为0.2~0.3伏；硅型半导体的内建电位差约为0.6~0.8伏。

两个电子核之间的电荷密度计算公式为：p=μC/m2。根据高斯定理做与球面同心的球面作为高斯面，半径设为2R，再代入公式计算即可。在电磁学里，电荷密度是一种度量，描述电荷分布的密度。电荷密度又可以分类为线电荷密度、面电荷密度、体电荷密度。假设电荷分布于一条曲线或一根直棒子，则其线电荷密度是每单位长度的电荷量，单位为米。

P=q/V是指的净电荷的密度,比如一个物体带正电,并不代表它没有负电荷,只是正电荷数大于负点而已. 在公式Q=nqSvt中,n指的是自由电荷的密度,单指形成电流定向移动的电荷密度. 原来你是啊,熟悉你了,都.

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