半导体配件需要清洗吗？

需要清洗的：

电子清洗技术（包括清洗剂和与之配套的清洗工艺）对电子工业，特别是对半导体工业生产是极为重要的。在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，而且集成电路的集成度愈高，制造工序愈多，所需的清洗工序也愈多。在诸多的清洗工序中，只要其中有一道工序达不到要求，则将前功尽弃，导致整批芯片的报废。可以说如果没有有效的清洗技术，便没有今日的半导体器件、集成电路和超大规模集成电路的发展。其实这个环节是蛮重要和需要

探索技巧的，做半导体行业工作的都需要很大的耐心和细心，才能出色的完成这项工作的，现在半导体行业发展的很迅速，集成电路的集成密度越来越高，相应的清洗技术也随之复杂起来，其实这方面也有很大的发展前途的，我曾经有位同事，从基层的技术员升职到工程师助理，最后自己又升到了工程师的位置，如果楼主要考职称的话，可以先咨询一下设备工程师和制程工程师，一般制程工程师的工资会高一点。

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思。RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液： （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时，在自然氧化膜被腐蚀掉时，硅片表面的硅几乎不被腐蚀。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时，H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。 （4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。 清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污，因为有机物会遮盖部分硅片表面，从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷阱”，也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污，同时使硅片表面钝化。

√ 楼主您好，根据您提出的问题，下面为您做详细解答：

半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分，在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs，同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物。

半导体有机废气处理办法

采用RTO设备处理

RTO蓄热式氧化炉是在高温下将可燃废气氧化成氧化物和水，净化废气，并回收废气分解时所释放出来的热量，废气分解效率达到99%以上，热回收效率达到95%以上。

直接燃烧法处理

有机废气风管废气收集→沸石转轮吸附浓缩→直燃炉（TO）→烟囱排气达标排放。

希望此次回答对您有所帮助！

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