P型半导体材料包括哪些

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小，可形成较大电流；反之当P型接负极，N型接正极，因为P半导体缺壳粒，热运动也难分离出壳粒往正极运动，且阻挡层变厚接触电位差变大，电阻变大，形成较小电流，即具有单向通过电流属性。 ）多子与少子是相对概念。如：在N型半导体中自由电子是多数载流子，简称为“多子”；空穴为小数载流子，称为“少子”。而在P型中则相反。

p型半导体和n型半导体与材料本身关系不大，而是与材料的掺杂有密切的关系，比如硅，掺杂硼离子就是p型号的，掺杂磷离子就是n型的。还有的半导体是化合物半导体，比如砷化镓，氧化锌。还要提到的就是石墨烯和碳纳米管的半导体性质和材料的制备有很大关系，既可以是半导体业可以使金属。选择的依据就是里面的少子，少子是电子就是n型的，空穴就是p型的

纯净半导体是由硅组成的,由于导电能力弱,因此掺杂另外的元素,成为掺杂半导体.

N型半导体是用一个5价磷原子代替原来的四价硅原子,这样有4个电子与周围4个硅原子组成共价键后,剩余一个电子,因此形成以电子为多数载流子的N型半导体.

同理,用三价铝原子代替硅原子,形成P性半导体

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