晶闸管的工作原理?

晶闸管的工作原理?,第1张

晶闸管(thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是pnpn四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“v”、“vt”表示(旧标准中用字母“scr”表示)。晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

晶闸管的种类

晶闸管有多种分类方法。

(一)按关断、导通及控制方式分类

晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(gto)、btg晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。

(二)按引脚和极性分类

晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。

(三)按封装形式分类

晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。

(四)按电流容量分类

晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。

(五)按关断速度分类

晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。

晶闸管的工作原理

晶闸管t在工作过程中,它的阳极a和阴极k与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极g和阴极k与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。

晶闸管的工作条件:

1.

晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。

2.

晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3.

晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。

4.

晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断

SSR定义:固态继电器(Solid State ReIay,SSR)是一种通断控制装置,它用一个或多个半导体(如功率晶体管、SCR或三端双向可控硅开关)传导负载电流。(SCR 和三端双向可控硅开关通常称为“半导体闸流管”,是由闸流管和晶体管结合得出的术语,因为半导体闸流管是触发半导体开关。)

与所有继电器一样,SSR需要相对较低的控制电路能量来在“通”和“断”之间切换输出状态。由于该控制能量比继电器在满负荷下能控制的输出功率低得多,SSR的 “功率增益”相当大,常常比额定输出相当的电磁式继电器(EMR)大很多。换言之,SSR的灵敏度常常比额定输出相当的EMR高得多。

SSR的类型:一种简单的方法是按输入电路的性质,并对实现输入输出隔离的方法进行一定的参考来分类SSR。公认的有三个主要类型:

舌簧继电器耦合SSR(见图1)在这类SSR中,控制信号被(直接或通过一个前置放大器)加到一只舌簧继电器的线圈上。然后,簧片开关闭合会接通相应的电路,从而触发可控硅开关。显然,输入输出隔离是由舌簧继电器实现的,通常隔离度极高。

变压器耦合SSR(见图2),在这类SSR中,控制信号(如果为DC,则通过一个DC-AC转换器;如果为AC,则直接)加到一个低功率小变压器的初级电压上,由初级电压激发产生的次级电压(通过或不通过整流、放大或其它调整)用于触发可控硅开关。在这种类型中,输入输出隔离度取决于变压器的设计。

光耦合SSR(见图3),在这类SSR中,控制信号施加到一个光源或红外光源(通常为发光二极管,或LED),有一个光敏半导体(即光敏二极管、光敏晶体管或光敏闸流管)检测该光源发出的辐射。然后用光敏器件的输出来触发(选通)开关负载电流的三端双向可控硅开关或 SCR。显然,输入和输出之间唯一显著的“耦合通路” 是光束或红外辐射,电隔离度极高。这类SSR也称为“ 光学耦合”或“光隔离”。

如果你想了解不同的继电器的性能,你可以看http://cn.omega.com/learning/Sld_StRelays.html

楼上二位看好了,人家是说的真空高压电子管!

闸流管---- 只是一种内部充有銾气的电子三极管,它的特性与可控硅相仿,用灯丝变压器可调式的整流电路是通过交直流叠加来控制栅极电压,从而控制这三个管的点火(导通)角或叫点火提前量来达到控制输出直流电压的高低。

充氢闸流管由阴极、阳极、栅极及氢储存元件组成,利用低压氢气为工作介质,导通时靠等离子体形成内部导电介质,是可控点火的离子开关真空器件。

充氢闸流管[hydrogen thratron]是由阳极、阴极、栅极(一个或几个栅极,至少有控制栅栅极,可选提高点火稳定性的预点火栅,或提高工作电压的分压栅极)、储氢器(寿命要求长的还内置可以补充工作寿命内氢气损耗)等组成,将所有电极用绝缘外壳密封,利用低压氢气(氘气)作为工作及灭弧绝缘介质,是离子开关管中的一个分支,将触发脉冲(正极性)加到栅极,阴极发射的电子在栅阴电场的加速作用下,使阴- 栅间隙产生雪崩击穿并将氢分子电离产生等离子体,当放电电流大到一定程度,等离子体中的快速电子会越过栅极,进入阳极—栅极空间,在阳栅空间电场加速下,阳栅间隙产生雪崩击穿,产生阳栅空间的等离子体,并使阳栅间隙击穿导通,使外电路由于电流以闸流管的阳极-栅极-阴极空间的等离子体中的电子流为载体通过形成闭合回路,而输出脉冲电流,在储能元件(一般是由LC元件组成的人工线)放电终了时,流过闸流管的电流值降到零,管内等离子体消电离,阳极—栅极空间恢复绝缘状态,为下一次放电道统做好准备,由于等离子体具有内电场为零的特点,故氢闸流管在导通时的电压降比较小,是具有正启动特性的脉冲电真空器件,具有工作电压高,脉冲电流大,触发电压低,脉冲宽度窄,电流上升快,点火稳定等特点,广泛应用于国防、医疗、高能激光、科学研究等领域或场合。

接地栅闸流管[grid GND hydrogen thyratron]是普通闸闸流管的改良产品,工作时栅极接地,触发脉冲(负极性)加到阴极,阴-栅间隙产生雪崩击穿形成等离子体,等离子体中的快速电子越过栅极到达阳-栅空间,在阳栅电场的加速作用下引起阳极栅极空间的雪崩击穿,同时电子离子在电场作用下轰击阳极和栅极表面,导致表面蒸发产生金属蒸汽,从而产生以电离的金属蒸汽为主体的真空电弧,从而使外电路通过闸流管形成闭合回路,由于放电电流不依赖阴极的发射电流,故而可以导通比普通闸流管大数十倍的电流,并而且具有前沿电流上升速率大和内阻小的特点。


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