pmos和nmos的区别是什么？

pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。

nmos与pmos驱动能力对比

NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小，在导通时D与S电压几乎一样，G端电压比D端高出一个启动电压，实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了，不用之举电容。

但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大，输入电压低，而且还有成本问题，所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况低端驱动，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

理论上，P衬底或N衬底都可以。实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。另外，从控制角度而言，NMOS可以用正电压开启，使用起来比较方便，而PMOS需要用到负电压，就不那么方便了。因此常见的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比如IRF9540等，但种类比较少，价格也贵一些。

在半导体工艺中，通常采用的是离子注入技术，其中磷原子被加速加速到高速后撞击到硅衬底表面，形成浅层杂质，从而掺杂硅衬底，使其成为n型半导体。虽然在实际过程中磷原子被注入硅衬底，但由于注入的磷原子与硅原子具有相同的化学性质和电子结构，因此磷原子可以在硅晶体中占据硅原子的位置，并成为硅晶体中的掺杂杂质，从而改变硅晶体的导电性质。因此，虽然我们常说的是注入磷离子，但实际上是磷原子与硅原子发生置换反应，从而实现硅晶体的掺杂。

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