pn结正向压降与温度变化的特性实验报告是什么?

pn结正向压降与温度变化的特性实验报告是：了解PN结正向压降随温度变化的基本关系，测定PN 结FFVI特性曲线及玻尔兹曼常数。

实验原理PN结FFVI特性及玻尔兹曼常数k的测量，由半导体物理学中有关PN结的研究可以得出PN结的正向电流FI与正向电压FV满足以下关系。式中e为电子电荷量、k为玻尔兹曼常数，T为热力学温度，sI为反向饱和电流，它是一个与PN结材料禁带宽度及温度等因素有关的系数。

是不随电压变化的常数，由于在常温下，kT/q=0.026，而PN结的正向压降一般为零点几伏,所以expkT，eVF ,1上式括号内的第二项可以忽略不计,于是有 kTeVIsIFFexp =2。

PN结

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语PN junction）。

PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

超出范围，半导体的载流子特性，pn结单项导电等特性消失，一般指硅，锗更小。

物理类测量时知道物体有热胀冷缩的特性，象对零件尺寸测量时，如果环境温度变化过大，会导致测量数据不准确，一些精密零件测量如三坐标测量机测量就需要在恒温条件下进行测量（20摄氏度正负2度）化测量时由于温度变化会导致化学反应效果不同，因此一些特殊测量也要规定环境温度。

扩展资料：

P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

参考资料来源：百度百科-PN结

实验 *** 作时会使试验温度发生改变，影响实验结果。

数字式电压表的示数不稳定也会产生误差。

在U1-T实验中，U2的示数不能一直指在1V上，也会产生误差。

以电压为横坐标、电流为纵坐标，利用测得的电压和电流数据，分别绘制出稳压二极管、金属膜电阻和小灯泡的伏安特性曲线，分析各自伏安特性曲线的特点和规律。正反向伏安特性曲线作在一张图上，对于二极管，正反向坐标可以取不同单位长度。

扩展资料：

在一定的条件下得到更接进于真实值的最佳测量结果；确定结果的不确定程度；据预先所需结果，选择合理的实验仪器、实验条件和方法，以降低成本和缩短实验时间。因此我们除了认真仔细地做实验外，还要有正确表达实验结果的能力，这二者是同等重要的。仅报告结果，而不同时指出结果的不确定程度的实验是无价值的，所以我们要有正确的误差概念。

参考资料来源：百度百科-实验误差