在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？

变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的本征激发变化相同。

半导体 温度变化N型 温度变大 分子运动加快 阻碍电子移动 载流子流速变慢 载流子数目变少

P型 温度变大 分子运动加快 空穴交换加快 载流数目变多 （我自己胡思乱想的 不是实验得来的）

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