微电子芯片制作 台面工艺与平面工艺的区别

主要区别在于台面工艺需要腐蚀台面或者刻槽而平面工艺则否。台面晶体管的集电结耐压基本上接近理想的雪崩击穿电压，故击穿电压高于平面晶体管。 建议：1、向老师请教有关工艺技术吧！2、参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

主要是对硅晶片（Si

wafer）的一系列处理

1、清洗

->

2、在晶片上铺一层所需要的半导体

->

3、加上掩膜

->

4、把不要的部分腐蚀掉

->

5、清洗

重复2到5就可以得到所需要的芯片了

Cleaning

->

Deposition

->

Mask

Deposition

->

Etching

->

Cleaning

1、中的清洗过程中会用到硝酸，氢氟酸等酸，用于清洗有机物和无机物的污染

其中Deposition过程可能会用到多种器材，比如HELIOS等~

Mask

Deposition过程中需要很多器材，包括Spinner，Hot

plate，EVG等等~

根据材料不同或者需要的工艺精度不同，Etching也分很多器材，可以使用专门的液体做Wet

etch，或者用离子做Plasma

Etching等

最后一部的Cleaning一般是用Develpoer洗掉之前覆盖的掩模~

多数器材都是Oxford

Instruments出的

具体建议你去多看看相关的英文书，这里说不清楚。。

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

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