“汉芯”骗局：陈进的芯片科研造假，比美国打压华为更令人寒心

近几年来，美国对华为持续施压，导致了华为芯片产业遭受重创，整个中国的芯片产业也因此受到了严重的阻碍。

然而，我们在对美国打压华为感到极其愤慨的同时，有没有想到过？

其实多年前，在我国的芯片科研事业中，有一个人的重大造假行为，更让国人寒心！

这，就是当年轰动一时的“汉芯”骗局！

那么，“汉芯”骗局到底是怎么一回事呢？下面，就让我为大家慢慢道来。

先来简单介绍一下“汉芯”骗局的主人公：上海交通大学微电子学院院长，陈进教授。

陈进，中国福建人，生于1968年。

大学的时候，陈进曾经就读于同济大学。大学毕业后，陈进赴美留学，并在美国德州大学奥斯汀分校连续获得硕士和博士学位。

获得博士学位后，陈进随即就加入了美国的摩托罗拉公司，负责芯片设计工作。

由于陈进在后续的工作中十分杰出，因此连续两次获得了该公司“杰出成就奖”奖金及水晶奖座。

2001年，陈进回国，成为了一名高学历的海归人士。

当时国内对高学历的海归人士十分重视，所以陈进很快就入职了上海交通大学，负责组建上海交大芯片与系统研究中心。

可是谁也没想到，就是在这个岗位上，陈进在2003年的时候，实施了影响重大的芯片科研造假行为！

2003年2月26日，一场盛况空前的新闻发布会在上海召开。

上海各大官方单位，以及由多位知名院士和“863计划”集成电路专项小组负责人组成的科学团队悉数到场。

为什么这场发布会会如此隆重呢？

那是因为，一项“震惊”中国，“震惊”世界的科研成果，在上海交大诞生了。

这项著名的科研成果，就是由陈进研发的“汉芯一号”。

当时的“汉芯一号”，到底“厉害”在哪里呢？

根据官方提供的资料显示，“汉芯一号”采用国际先进的0.18微米半导体工艺设计，它包含了250万个器件，并且具有国际先进的32位处理内核，每秒可以计算2亿次。

经过多位专家的共同测验后，他们一致认为：

“汉芯一号”具有非常杰出的性能，与国际先进的芯片技术非常接近，甚至在某些方面还超过了国际先进产品。

如此“巨大”的科研成果，当然是要郑重其事的。

随着官方的广泛报道，“汉芯一号”一度被称为国内首创和中国微电子领域的里程碑，也成为了继“两d一星”之后，中国人的又一大骄傲。

而“汉芯一号”的发明人陈进，也很快就荣誉等身，全国闻名。

之后不久，陈进从一名普通的教授，晋升为上海交通大学微电子学院的院长，并成为了许多青年才俊孜孜以求却始终难以获得的“长江学者”。

除此之外，各种眼花缭乱的荣誉头衔和相关职位也纷至沓来。

比如，上海交通大学芯片与系统研究中心主任，上海交通大学信息安全芯片研究所所长，信息技术领域集成电路设计主题专家，上海市 科技 创业领军人物等等。

陈进凭借着“汉芯一号”申请了多项国家专利，并且还以此骗取了一大笔国家下拨的科研基金。

推出“汉芯一号”之后，陈进借着这股东风，马不停蹄，接二连三地推出了“汉芯二号”，“汉芯三号”和“汉芯四号”。

据相关数据统计，从“汉芯一号”到“汉芯四号”，陈进不仅获取了数不胜数的各种荣誉，还总共骗取了高达上十亿的国家科研基金。

然而，尽管陈进表面再风光无限，也始终难以掩盖他重大科研造假的卑劣行径。

2006年1月17日，“汉芯”骗局终于得以败露，东窗事发了。

2006年1月17日，一名匿名网友在清华大学水木清华论坛上发帖，揭露上海交通大学微电子学院院长陈进教授，存在重大的学术造假行为。

这次发帖很快就引起了众人的关注，在网友和媒体的联合干预下，官方也迅速地进入了事件的调查程序。

一个月后的2006年2月18日，在经过多方调查后，官方终于公布了调查结果：陈进的“汉芯一号”造假一事，基本属实。

中国芯片产业 历史 上令人瞠目结舌的骗局，也由此一一揭开。

根据官方调查结果显示，陈进的“汉芯”系列芯片，存在严重的造假和欺骗行为。

大约三年前的2003年2月26日，陈进在新闻发布会上发布的“汉芯一号”，并不是陈进自己科研成果。

其实当时被众人吹捧的，所谓的“中国芯片里程碑”的“汉芯一号”，实际上是陈进从美国购买回来，雇人将芯片表面的原有标志用砂纸磨掉，然后加上“汉芯”标志“研制”而成的。

所以究其本质，这块芯片还是美国货，只不过把上面的标志改成了“汉芯”的标志而已。

而“汉芯二号”，则是在美国公司委托定制的DSP软核的基础上，汉芯公司设计加工而来。“汉芯二号”并没有拥有核心技术，只是一件非常简单的代工品而已。

“汉芯三号”是在“汉芯二号”的基础上，进行了简单的扩充，并没有丝毫实质性的创新。汉芯公司宣称“汉芯三号”已经达到国际高端水平，纯粹是子虚乌有，捏造杜撰的。

"汉芯四号”同样也严重夸大了事实，与汉芯公司自身描述的“重大创新”严重不符，是实实在在的造假和欺骗。

从“汉芯一号”到“汉芯四号”，陈进通过弄虚作假的手段，严重地欺骗了国家有关单位，多名院士专家，还有广大的中国媒体和公众。

陈进的芯片科研造假行为，不仅为他骗取了数不胜数的荣誉称号，高级职位，还骗取了高达上十亿的国家科研基金。

这是一桩影响巨大的芯片科研造假事件，给中国整体芯片产业的发展，带来了难以估量的负面影响。

事件调查结果出来后，陈进受到了上海交大以及有关国家单位的严厉处罚。

陈进本人的上海交大微电子学院院长职务，上海交大教授资格，全部都被上海交大撤销。

科技 部终止了陈进所有的科研项目，并且禁止了陈进以后申请科研项目的资格；

而教育部也取消了陈进头上让许多人梦寐以求的“长江学者”称号，取消了其享受政府特殊津贴的资格。

还有国家发改委，也同样取消了陈进负责的高新技术产业化项目，并且追缴这些年来为他划拨的大批科研经费。

一时之间，陈进从以前那个万众瞩目的科研明星，瞬间跌落谷底，成为了人人唾骂的造假者。

其变化之大，转换之快，实在是令人瞠目结舌。

长期以来，以美国为首的西方国家，都对中国实行严格的技术封锁。而芯片产业，则尤为严重。

近十几年来，华为在任正非的带领下，芯片产业取得了巨大成果。

但是自从中美贸易战开始后，美国便开始加大了对华为的打压和制裁。

受美国商务部禁令的影响，许多与华为有合作的国际大公司，都开始终止与华为的合作，逐渐与华为划清了界限。

华为好不容易建立起来的芯片产业，也因此受到了极大的阻碍。

然而，我们在对美国打压和制裁华为感到愤慨的同时，是不是更会因为陈进之流的所作所为，而感到寒心呢？

像陈进“汉芯”骗局之流的，他们为了自己的荣誉与利益，不惜弄虚作假，严重的欺骗国家，媒体和公众。

这一点，实在是让人更为的愤慨！

对于“汉芯”骗局事件，是不是更应该值得我们警惕呢？

除此之外，其实我们也应该对自己的科研心态要有一个良好的认识。

陈进之流，为什么能够在众目睽睽之下，骗倒了那么多的国家有关单位，以及众多的院士和专家呢？

其中一个重要的原因，就是因为当时的科研心态十分的浮躁。

因为美国对中国的芯片产业长期打压，所以国内对自主化的芯片十分渴望。

也正是因为如此，一旦有人宣布研制出来了高端的自主化芯片时，院士和专家们也放松了警惕，没有进行进一步的详细考察。

然而，谁也没有想到，陈进竟然敢如此大胆，做出这种令众人瞠目结舌的，极其严重的芯片科研造假行为。

假如不是举报人及时曝光，陈进之流，不知道还要欺骗到何时。

科研事业，是一种需要久久为功的，严谨的，认真的事业，来不得半点的浮躁和虚假。

所以，我们的芯片科研之路，是必然非常持久和艰辛的，这一点我们需要有足够的认识。

陈进的“汉芯”骗局，是中国芯片产业 历史 上的一次非常严重的造假行为，因为这件事情，国产化的热情也因此被逐渐浇灭。

陈进之流能够在众目睽睽之下实行芯片科研造假行为，其原因是多方面的，值得我们深刻的反思。

最后，我还是要重复说一句： 陈进的这种芯片科研造假行为，比起美国人打压和制裁华为而言，其实更令国人寒心！

此事，希望以后能够引以为鉴。

自中兴、华为事件发生后集成电路的地位不断提升， 社会 与资本对集成电路产业的认识也不断加深。发展集成电路产业的初衷确实是为了实现国产替代、自主可控，虽然这种思路没错但格局着实有点狭隘。当然如果将中国集成电路产业放到实现国家战略安全的地位，对产业的认识也会更深刻一些。

顶层设计的确瞄向了国家战略安全这一方向，但落脚到这个产业中，产业和资本的高度还是无法达成统一，因为各自的诉求不同。以中微公司创始人尹志尧为代表的产业从业者固然可以做到十年磨一剑，将刻蚀设备做到全球一线水平，但狂热资本的不断涌入，更多的是看到科创板、注册制等的实施带来的短期套利空间，毕竟相比以往如今上市的门槛和难度大幅降低。

集成电路是一个技术密集型、知识密集型和资本密集型的产业，如果放到国产替代和国家安全的角度还是一个政策密集型的产业，如果将这四种重要的要素实现深度整合，当然是最理想的状态，但如果这四种要素中任何一个对集成电路产业的理解与认知出现偏差甚至误区，则会出现很大的问题，20年前的"汉芯一号"造假事件如此，武汉弘芯项目烂尾也是如此。

武汉弘芯一开始就对这个行业的理解有所误区，比如一开始就定下的不切实际的目标。武汉弘芯项目原计划投资1280亿元，主要投资目标是建成一条月产能3万片的14nm逻辑工艺生产线、月产能3万片的7nm及以下逻辑工艺生产线以及相应的晶圆级先进封装生产线，但在2017年国内最好的晶圆代工厂中芯国际刚搞定28nm HKMG工艺不久，直到2019年才在梁孟松的带领下搞定了14nm FinFET工艺。

2017年全球晶圆厂中有能力量产14nm及以下FinFET工艺的也就台积电、英特尔、三星和格芯，其中台积电和三星将技术节点推进到10nm，格芯是12nm，英特尔是14nm++ FinFET工艺，与格芯的12nm相当：

行业龙头也刚推进到14-10nm，武汉弘芯一开始就要上马14nm，就当是国内集成电路的产业基础，可能吗？

2017年国内技术达不到，资本目的不纯，政府对集成电路产业认知较浅，武汉弘芯项目如何推进？

可惜了蒋尚义的一腔热血。

武汉的集成电路产业基础还是相当薄弱，更没法与江苏和上海这两个产业集聚地相比，将之比喻为荒漠中的绿洲也不为过。

按申万行业分类，目前在A股上市的湖北半导体企业有盈方微和台基股份两家，其中台基股份主要从事大功率半导体器件的生产与销售，是一家功率半导体企业。但盈方微在湖北荆州，台基股份在湖北襄阳，均不在武汉。

在新三板上挂牌的湖北半导体企业是思存 科技 （839113.OC），公司主要研发与销售多种类别的Wi-Fi模块及相关解决方案。公司在技术上得到高通的支持， 2019年营收与净利润分别达到2.50亿元和0.08亿元，业务规模与盈利能力较弱。

东芯通信（430670）是位于合肥市的一家从事LTE基带芯片研发、销售及提供解决方案的供应商，但目前由于4G网络已经成为过去，公司业绩也一落千丈，2019年营收仅有0.15亿元，净利润亏损0.12亿元，已经连续四年亏损。

过去的终究要过去。

在光模块及光芯片领域武汉具有一定优势，光迅 科技 、华工 科技 具有较强的技术实力，其中光迅 科技 是国内少有的业务涉及光芯片、光器件和光模块产业链的企业，而且公司依靠大股东烽火集团旗下的烽火 科技 ，产品可以很好的切入终端。但是在目前火热的高通量光模块领域公司相比中际旭创和新易盛有所滞后，相比已经研发出1000G光模块的华为以及Finisar等国外巨头差距更是明显：

合肥与武汉在存储器领域的竞争优势相当明显。武汉长江存储在3D NAND领域已经形成一定规模，技术上4月份推出的X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的存储器件。技术上与海力士、三星、铠侠等差距也就1-2代，如果公司能及时推出196层甚至256层3D NAND，技术上的差距已经相当小了。另外武汉新芯（XMC）除了Nor Flash等存储器件，自有晶圆厂也可以为客户提供55nm制程的低功耗逻辑和射频等工艺。

在DRAM领域合肥长鑫实现了重大突破，公司现有产品主要有DDR4内存芯片、LPDDR4X和DDR4模组，而且在中低端消费电子领域实现商业化。不过目前三星、海力士等已经将技术延伸到DDR5，在技术上还有一代的差距。

在半导体设备领域领域，武汉精测电子和合肥芯碁微是具有代表性的企业。精测电子是从事TFT-LCD/OLED等平面显示信号测试技术研发、开发、生产与销售的企业，在平面显示信号测试领域位于国内领先水平。不过公司目前将业务向半导体检测延伸，未来公司有望形成平面显示+集成电路检测双主业格局。

合肥芯碁微主要从事以微纳直写光刻技术为核心的直接成像设备及直写光刻设备研发、制造及销售，但目前公司的直写光刻机主要用于PCB，在平面显示领域有一定布局。由于技术自身局限，合肥芯碁微的直接成像技术还不能很好的应用于硅基半导体器件深亚微米节点的制造。

综上所述，从目前集成电路产业布局来看，除了长江存储和合肥长鑫的存储器件，武汉和合肥的集成电路产业发展水平总体逊于江苏和上海，但以光迅 科技 为代表的光模块企业、以精测电子、合肥芯碁微为代表的设备制造企业在个别领域具有一定规模。

除了合肥长鑫，合肥的集成电路产业亮点不多，但如果从产业链布局来看，合肥的产业基础要略好于武汉。

集成电路产业链主要分为设计、制造和封测，目前武汉和合肥在设计领域存在明显短板。武汉昊昱微电子是从事功率半导体及模拟半导体设计的企业，公司基于CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工艺开发了HYM533低功耗8位四路DAC、音频功放IC等器件；合肥比较具有代表性的设计企业有合肥芯谷微电子、合肥恒烁半导体等设计企业，而且这些企业由"最牛风投机构"合肥市政府投资，部分设计企业颇具特色，但相比圣邦股份、兆易创新等企业，差距太明显。

在封测领域合肥的基础要好得多，而武汉则一片空白。封测领域合肥目前拥有合肥合晶和合肥速芯两家封测企业，其中成立于2000年的合肥合晶覆盖TO、SOT和DIP封装技术；成立于2018年12月的合肥速芯是集成电路行业咨询公司摩尔精英旗下封测企业，拥有QFN、BGA、SiP等封装技术：

当然合肥速芯的竞争力还来自于摩尔精英在集成电路行业中的资源整合能力，这一点可能是合肥合晶所不拥有的。

在制造领域武汉和合肥均有晶圆厂，其中合肥长鑫和长江存储各有一座300mm晶圆厂，主要是这两家企业均采用了IDM模式，这也是三星和海力士等存储器龙头的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武汉新芯）分别在合肥和武汉拥有一座300mm晶圆厂，产能较小，而且主要以成熟节点为主。

合肥集成电路产业的优势是打通了设计、制造和封测，武汉虽然有武汉新芯这样的晶圆代工厂，但封测还有短板。

当然在光模块等领域武汉有独特的竞争优势。

有人曾将中国半导体投资者归纳为无知者无畏型、无耻者无畏型和既无知又无耻型三类，其中无知者无畏型主要是地方政府，出于各种目的往往会出现"义和团"式的"造芯运动"，典型代表就是武汉弘芯这个烂尾项目。无耻者无畏型主要是产业内企业"杠杆"式的"堵芯"，怀着撞大运的心理借着主业的成功赌博式发展集成电路这个副业。既无知又无耻型就是那些暴躁狂热的资本，他们对产业规律视而不见，搞跨界投机式的"骗芯"。

一级市场如此，二级市场同样炒作投机之风盛行，最典型的就是中芯国际上市前后的炒作以及半导体板块的暴涨暴跌，让一众投资者吃了闷瘪。

集成电路行业是一个大投资、重积累、长周期、慢回报和高风险的行业，科创板和注册制的推出只是解决了一个资本顺利退出的通道，但产业本身特征是无法在资本加持下能改变的，如果只是抱着投机甚至赌或骗的心态闷头扎入集成电路行业，可能自己怎么没的都不知道。

65nm制程的SoC芯片设计及流片成本2850万美元，16nm的设计及流片费用高达1.06亿美元，足可以让很多中小型设计企业倒闭好多次了。

深圳市汉芯半导体有限公司是2014-08-15注册成立的有限责任公司(自然人独资)，注册地址位于深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦9层I。

深圳市汉芯半导体有限公司的统一社会信用代码/注册号是9144030031188160XE，企业法人林周明，目前企业处于开业状态。

深圳市汉芯半导体有限公司的经营范围是：一般经营项目是：半导体产品、集成电路、电子元器件的技术开发、技术咨询与销售；投资兴办实业（具体项目另行申报）；企业管理咨询（不含证券、保险、基金、金融业务、人才中介服务及其它限制项目）；国内贸易、货物及技术进出口。（法律、行政法规或者国务院决定禁止和规定在登记前须经批准的项目除外） ，许可经营项目是：。

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