中国锂电可以成功,为什么半导体不行

中国推动数字领域创新的首要举措之一是国际数字丝绸之路（DSR），它是“一带一路”倡议的组成部分。 通过 DSR，中国将拓展国外市场，确保国外供应商的持续供给，和进入海外消费市场，并建立信息和通信技术的技术标准。 如果成功，DSR 将为中国的经济创新提供稳定的需求， 这正是政府追求的目标。 然而，DSR 及其充满希望的创新取决于中国在硬件方面的成功。 尽管中国面临着国外的竞争，但中国经济创新的最大障碍是国内。 中国成为 5G 技术的领导者，但其创新水平落后于其他领域。 中国的主要创新挑战是缺乏高价值数字硬件的本土能力，尤其是半导体逻辑芯片。

2010-2020年，中国试图整合半导体产业，鼓励国内半导体企业共享研发，让外国减少出口管制，从国外获得高技能人才。然而，到 2022 年初，中国仍然没有设计或制造大量价值最高的半导体逻辑芯片（中国市场份额不到 1%，中国在全球市场中的份额不到 6%）。但这只是问题的一部分。两个最高价值的半导体逻辑芯片是中央处理单元 (CPU) 和图形处理单元 (GPU)。正如乔治卡尔霍恩所指出的，在这两个类别中，中国生产的芯片不仅质量低劣，而且缺乏竞争力，即使在中国也是如此。

1.功率分立器件产量和产值持续上升功率半导体分立器件是指额定电流不小于1A或额定功率不小于1W的半导体分立器件。2015-2020年，我国功率半导体分立器件产量和产值呈持续上升趋势。2020年，我国功率半导体分立器件产量4885亿，较2019年增长8%。2020年，我国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年增长3%。2.MOSFET产品优势突出，需求量大功率半导体分立器件可以进一步分为三类:功率二极管、功率晶体管、功率晶闸管，其中比特、GTR、MOSFET、IGBT都属于功率晶体管范畴，而SCR、g to、IGCT属于功率晶闸管范畴。在功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控分立器件。根据不同的应用特点，MOSFET还包括平面功率MOSFET、沟槽功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET。MOSFET在分立功率半导体器件中排名第一，占2019年市场规模的36.3%，其次是二极管、其他三极管(包括IGBT)和晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%和5.5%。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题等优点。该功率二极管结构和原理简单，工作可靠。基于产品本身的特点和优势，功率分立器件市场中，MOSFET和二极管占据了近70%的市场规模。基于MOSFET下游应用的快速发展，MOSFET销售额的市场规模从2015年的37亿美元增长到2019年的53亿美元，年复合增长率约为9.2%。

的确难于登天，但是我们也不能够放弃。毕竟在很多方面以来，我们都曾经受到欧美国家的信任，可现如今却实现了弯道超车。

芯片是一种高科技产品，芯片已经存在，各种精密仪器之上。比如电子设备以及通讯设备，缺少了芯片，那么仪器将会就如同一堆废铁一般失去原有的作用。但是芯片的制造和生产，不是一个国家或者一家公司能够完成的。哪怕是欧美的发达国家，在芯片方面的制造和生产，也需要结合多个国家的技术才能够完成。

被美国“卡脖子”中国半导体。

一直以来中国的半导体产业发展，都是非常不容乐观的。因为截至目前为止，西方欧美国家在芯片领域方面对我国展开了围追堵截。不愿意与我们分享芯片制造方面的技术，也更不愿意出售相关芯片制造设备。可以说中国的半导体产业，已经被美国为主的西方国家卡了脖子。目前中国的芯片发展就如同登天一般，是十分困难的。

但是我们也不能够放弃。

但是，中国的芯片发展虽然陷入了迟缓。可是我们也不能够放弃，因为芯片是非常重要的科技产品。如果采取了放任不管的政策，那么也将意味着我国在社会各个方面都会受到西方欧美国家的限制。因此，芯片方面的研究工作不能够有任何提法。要想打破欧美国家的技术封锁，一方面要培养更多的人才，而另一方面也需要投入更多的资金和技术。

必须结合社会的各方面力量。

除此之外，要想在芯片方面领域有所建树。我国所有科技公司以及各行各业的人才，必须要集中所有人的力量，全面攻克芯片方面的难题。集合所有人的力量，才能够用最小的代价换来最多的成果。

---