半导体被击穿后导致不能使用，是为什么

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物理损伤，微观上是硅晶体结构局部烧毁，所以无法恢复。

比如二极管的击穿，正常是正向导通，反向截止，一旦击穿，就失去这样的特性，特性变为电阻性的，严重的直接短路。

PN结的击穿机理大致分为隧道击穿、雪崩击穿、热击穿三大类，MOSFET的击穿原因也包括在这三大类之间。隧道击穿是一种量子效应，是电子隧穿势垒引起的，要触发隧道击穿一般要求三个条件：1、费米能级进入能带；2、半导体空间电荷区很窄；3、在相同能量水平上，半导体的一侧能带中有电子而另一侧能带中有空的状态。一般来说，重掺杂的简并半导体易满足这些要求。隧道击穿一般可恢复。雪崩击穿是在电压过高情况下形成的。雪崩击穿只要击穿在可控范围内也可恢复。热击穿是晶体管过热导致的，当雪崩击穿不可控引发大电流通过晶体管可使晶体管迅速升温，使得半导体晶格结构被破坏，导致不可恢复的热击穿，也就是一般说的晶体管烧了。。MOSFET的击穿具体比较复杂，简单地说，主要是MOSFET漏端电压过大，导致源、漏雪崩击穿，晶体管中产生大的电流，最后引起热击穿，MOSFET烧坏；同时，由于隧道击穿引起的隧道电流的存在，MOSFET漏极击穿电压将比理论值有所下降

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