二极
管
基本
原理
是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡
反向电压
。肖特基与
PN结
的
整流
作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作
开关
二极和
低压
大电流
整流二极管
。
肖特基二极管(Schottky
Barrier
Diode)
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始
电压
较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其
半导体材料
采用硅或
砷化镓
,多为型半导体。这种
器件
是由
多数载流子
导电的,所以,其
反向饱和电流
较以
少数载流子
导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其
频率
响仅为RC
时间常数
限制,因而,它是高频和
快速开关
的理想器件。其
工作频率
可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作
太阳能电池
或发光二极管。
肖特基二极管(Schottky
Diodes):
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的
势垒
对电流进行控制。它的主要
特点
是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的
反应速度
。肖特基二极管常用在
门电路
中作为
三极管
集电极
的
箝位
二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
肖特基势垒二极管SBD(Schottky
Barrier
Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速
半导体器件
。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通
压降
仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是
快恢复二极管
所无法比拟的。中、小
功率
肖特基整流二极管大多采用
封装形式
。
1.结构原理
综上所述,肖特基
整流管
的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半
导管
整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅
平面工艺
制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了
参数
的
一致性
。
肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒
外侧
无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的
反向
耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率
。
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肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路,作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用,肖特基二极管在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。那么肖特基 二极管的作用 是什么呢?那 二极管的作用 具体有哪些呢?下面就对于肖特基二极管具有介绍。
肖特基二极管优点
肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低等优点,但肖特基二极管的反向击穿电压比较低,一般不会高于60V,最高仅约为100V,以致于限制了肖特基二极管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二极管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV之间的高速二极管、PFC升压用600V二极管等情况下时,只有使用快速恢复外延二极管和超快速恢复二极管。现在的肖特基二极管已取得了突破性的进展,150V和200V高压已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的肖特基二极管也研制成功。
二极管工作原理
二极管的工作原理(正向导电,反向不导电)
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。(也就是导电的原因) 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。(这也就是不导电的原因) 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
二极管的作用
1、整流
利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
2、开关
二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
3、限幅
二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、续流
在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。
5、检波
在收音机中起检波作用。
6、变容
使用于电视机的高频头中。
7、显示
用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
8、稳压
稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管,稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上,使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定,在稳压电路中串入限流电阻,使稳压管击穿后电流不超过允许值,因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。
9、触发
触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护等用途。
肖特基二极管的作用
肖特基二(Schottky)极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
肖特基二极管特点
由于肖特基二极管基势垒高度低于PN结势垒高度,故肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低。由于肖特基二极管是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复等问题。肖特基二极管的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管反向恢复时间。由于肖特基二极管的反向恢复电荷少,故肖特基二极管开关速度极快,开关损耗也极小,特别适合于高频应用。
肖特基二极管应用
肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流,在高频率下用于检波和混频,肖特基二极管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管,在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外,肖特基二极管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗,指的就是肖特基二极管施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗。以上就是我对于肖特基二极管具体介绍,希望对大家有所借鉴作用。
编辑总结:以上就是肖特基二极管的作用 肖特基二极管工作原理的相关介绍,是否你对肖特基二极管有了进一步的了解了呢?如果你还想了解更多的相关资讯,请继续关注我们网站。
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