硅晶圆片（半导体芯片）的生产 *** 作对人体有害吗?

应该说完全没有，目前据报道intel和AMD两家公司都是采取沉侵式光刻技术， *** 作过程完全由机械完成，人根本不会出现在生产过程中，只是由一名工程师在控制室控制即可，晶圆的刻制和切割要求极高所以由人完成也完全不可能的，所以生产 *** 作对人体无害，只是貌似由一步需要对晶圆进行化学药剂清洗，就不太清楚了，应该也是由电脑完成的，人手工清洗并不太可能

钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其先用真空电子束蒸发方式按序分别将钛镍银三种金属沉积在硅片的电极面上,然后用烧结炉将所述硅片在真空高温下形成高性能的钛镍银多层金属电极,它稳定性强,导电性好,使用寿命高,并能增加器件的通态能力和可靠性.

钛金属对人无害。

钛具有“亲生物“’性。在人体内，能抵抗分泌物的腐蚀且无毒，对任何杀菌方法都适应。因此被广泛用于制医疗器械，制人造髋关节、膝关节、肩关节、胁关节、头盖骨，主动心瓣、骨骼固定夹。当新的肌肉纤维环包在这些“钛骨”上时，这些钛骨就开始维系着人体的正常活动。

钛在人体中分布广泛，正常人体中的含量为每70kg体重不超过15mg，其作用尚不清楚。但钛能刺激吞噬细胞，使免疫力增强这一作用已被证实。镍及其水溶性化合物具有致敏性，某些镍化合物具有潜在致癌性。

相对来说，银对人体的毒性很小，这是因为银的化学性质不活波，很难与物质发生反应。但也有杀菌的作用。

主权项：

一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)将硅片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上,将纯度均为99.99％以上的钛、镍、银三种材料分别放置在电子束蒸发台坩埚中的三个穴位中；

(2)关闭电子束蒸发台工作室门,抽真空至1.0×10-3Pa,加热升温至200℃；

(3)先将坩埚中装有钛材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发10-15分钟,使硅片的电极面上沉积一层钛金属；然后关断电子束高压开关,调整坩埚中装有镍材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发30-35分钟,使所述钛金属层上沉积一层镍金属；然后关断电子束电流,调整坩埚中装有银材料的穴位处于工作位置,打开电子束高压开关,调整电子束电流至800mA,蒸发30-35分钟,使所述镍金属层上沉积一层银金属；

(4)电子束蒸发台工作室停止加热,降温至100℃时停止抽真空,打开放气阀,取出沉积上钛镍银多层金属的硅片；

(5)将上述硅片放进烧结炉中,抽真空至2.0×10-3Pa,套上炉体,升温至600℃,恒温60分钟；

(6)移开炉体,降温至200℃时停止抽真空,打开放气阀,取出硅片,降至常温,得到钛镍银多层金属电力半导体器件电极。

这个问题比较笼统，半导体生产包括很多道工序，目前大体分为3大块：单晶硅片（衬底）制作；wafer加工和封装测试。这个其中还没有包括光刻掩膜版制作。我是在半导体公司前道（wafer fab）和后道（assembly &Test）都工作过，对光刻掩膜版和衬底制作的工艺也知道一点点，所以发表一下愚见。

1. 单晶硅片（衬底）制作工程：无毒，但是在把硅柱切割成硅片的时候，会有很多硅尘出现，如果长期在切割部门工作，比如说工作10年以上，很容易得一种叫做硅肺的病。

2.Wafer FAB：大量存在一些有毒和易爆的物质，如果磷，砷，氯气（有毒）和甲烷，氢气（易爆），还有以下腐蚀性很强的物质，比如HF，浓硫酸等等。但是目前的fab对于这些物品的控制是十分严格的，不会想gendanzhu说的那样恐怖。这就是，那些能看到的危险根本就不是危险，人总是想尽一切办法去控制它。倒是我们生病的吃穿住行的东西，可能在慢慢影响我们的健康，而我们却不知道。FAB里最大的问题有两个：一个是对环境的污染比较严重，所以处理废水废气比较麻烦。希望中国的fab都能做到绿色环保；还有一个是辐射，大型的离子加速产生强大的辐射，对于做工艺的人员来说问题不大，有很厚的钢板挡在机器前面，主要是设备工程师或者技术员，一定要注意辐射对健康的影响。

3.封装测试厂：封测主要是与机械有关系，所以有毒的东西比较少，主要是plating工艺会对环境污染比较严重，现在我所在的公司都是把这道工序外包给其他公司来做的。

总之，我在半导体公司工作，感觉没有外边传言的那么恐怖。

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