半导体中E(k)与k的关系: 其中说的能带底附近的E(k)>E(0),能带顶附近的E(k)<E(0)该怎么解释?

半导体中E(k)与k的关系: 其中说的能带底附近的E(k)>E(0),能带顶附近的E(k)<E(0)该怎么解释?,第1张

E(0)是指波矢k=0状态的能量。若E(0)是导带底,则其它任何k态的能量E(k),都必将大于E(0),即有E(k)>E(0);若E(0)是价带顶的能量,则其它任何k态的能量E(k),都必将小于E(0),即有E(k)<E(0)。

"E/R" 在晶圆制造中通常代表 "Edge Roll-off / Roundness",即晶圆边缘的滚动偏移和圆润度。晶圆边缘的圆润度对于半导体芯片的性能和可靠性有着重要的影响,因此在晶圆生产过程中需要对其进行严格的控制。

半导体物理中Ei代表能级 费米能级是温度为绝对零度时固体能带中充满电子的最高能级,常用EF表示。对于固体试样,由于真空能级与表面情况有关,易改变,所以用该能级作为参考能级。电子结合能就是指电子所在能级与费米能级的能量差。虽然严格来说,费米能级等于费米子系统在趋于绝对零度时的化学势;但是在半导体物理和电子学领域中,费米能级则经常被当做电子或空穴化学势的代名词。一般来说,“费米能级"这个术语所代表的含义可以从上下语境中判断。


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