电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybridintegratedcircuit)是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybridintegratedcircuit)是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表,我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。其中,碳化硅凭借其耐高压、耐高温、低能量损耗等特性被认为是5G通信晶片中最理想的衬底,氮化镓则凭借其高临界磁场、高电子迁移率的特点被认为是超高频器件的绝佳选择。需要说明的是,第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域,应用范围有所交叉,但不是完全等同。第三代半导体有其擅长的领域,在特定的“舒适区”内性能确实是优于硅、锗等传统半导体材料,但在“舒适圈”之外,硅仍然占据王者地位欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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