n型硅的电子迁移率

n型硅的电子迁移率为1350cm^2/(VS)。根据查询相关资料迁移率是指载流子（电子和空宏）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迂移率越大。运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，An是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低拉小硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/(VS)，而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。

由爱因斯坦方程 D/u = KT/q D 载流子（电子或空穴）扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数. 由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同. PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~

在半导体物理中电子的迁移率与哪些因素有关？迁移率和单位载流子的电荷量、载流子的平均自由时间和载流子有效质量有关。迁移率=电荷量乘自由时间×有效质量。平均自由时间是指载流子受晶格两次散射中间的时间,即外电场下自由加速的时间。迁移率是单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。迁移率与载流子的有效质量和散射概率成反比。载流子的有效质量与材料有关，不同的半导体中电子有不同的有效质量。如硅中电子的有效质量为0.5m0（m0是自由电子质量），砷化镓中电子的有效质量为0.07m0。空穴分重空穴和轻空穴，它们具有与电子不同的有效质量。半导体中载流子在低温下主要受到缺陷和杂质的散射，高温下主要受到由原子晶格振动产生的声子的散射。散射越强，迁移率越低。

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