【求助】荧光半导体物质都有哪些？

从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。GrasaVampiro(站内联系TA)CdS，等荧光粉物质rava(站内联系TA)发光共轭聚合物（也称导电高分子）应该也可以归到此类。loujilong(站内联系TA)Originally posted by exciton-wu at 2009-10-15 15:21:一般来说，荧光就是在光激发下，样品能够发光。从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。 大哥，给举个例子行吗？exciton-wu(站内联系TA)比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

扩展资料：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

参考资料来源：百度百科--光致发光光谱

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