热扩散法的工艺步骤

热扩散法的工艺步骤。

1、施主或受主杂质原子的半径一般都比较大，它们要直接进入半导体晶格的间隙中去是很困难的。只有当晶体中出现有晶格空位后，杂质原子才有可能进去占据这些空位，并从而进入到晶体。

2、为了让晶体中产生出大量的晶格空位，就必须对晶体加热，让晶体原子的热运动加剧，以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位（与此同时也产生出等量的间隙原子，空位和间隙原子统称为热缺陷），也因此原子的扩散系数随着温度的升高而指数式增大。

3、对于Si晶体，要在其中形成大量的空位，所需要的温度大致为1000度[C]左右，这也就是热扩散的温度。

半导体生产，包括半导体材料的生产、半导体器件的生产和半导体集成电路的生产等几个方面，不知道你指的是哪一个方面的生产。如果是半导体器件和集成电路的生产，则主要流程有切片、磨片、抛光、外延、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊、封装等步骤。希望对您有所帮助并采纳为最满意答案。建议您可到大比特商务网了解更多关于半导体方面的信息。

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不同用途的diode制造工艺有区别。有很多种工艺。

备料→检查支架→清理模条→模条预热→发放支架→点胶→扩晶→固晶→固检→焊线→焊检→进入封胶站→封胶→短烤→离模→长考→前切→测试→外观→品检→后切→包装→品检→入库

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