有哪位高手请帮忙指导一下，什么是直接迁移型半导体和间接迁移型半导体啊！

这个问题是半导体物理中的重要问题，而且也与光电器件有关。

直接迁移型半导体即直接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶都在Brillouin区中的同一点（即波矢相同）。半导体价带顶的电子获得足够的能量之后，可直接跃迁到导带底，并产生电子-空穴对；相反，导电电子与价带空穴复合时，即可把能量完全以光的形式释放出来。发光器件需要采用这种半导体。GaAs即属于这种半导体。

间接迁移型半导体即间接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶不在Brillouin区中的同一点（即波矢不相同）。价带顶的电子获得足够的能量之后，还需要有其它粒子（如声子）的帮助，才能跃迁到导带底；同时，导电电子与价带空穴复合时，大部分能量都将以热能的形式释放给晶格，故不能发光。这种半导体不能制造发光器件，但是可用来制作光检测器件——光电二极管。Si、Ge即属于这种半导体。

半导体硅是半导体跃迁材料。材料本身是不会发光，这是能量守衡决定的。材料吸收外来的能量源(电能/光能均可)，使价带的电子激发到导带上，然后通过辐射跃迁，发出光子。间接带隙的半导体材料在跃迁时会产生声子，严重影响发光。

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

扩展资料：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

参考资料来源：百度百科--光致发光光谱

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