如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的？

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

扩展资料：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

参考资料来源：百度百科--光致发光光谱

E(0)是指波矢k=0状态的能量。若E(0)是导带底，则其它任何k态的能量E(k)，都必将大于E(0)，即有E(k)>E(0)；若E(0)是价带顶的能量，则其它任何k态的能量E(k)，都必将小于E(0)，即有E(k)<E(0)。

EP=mgh，.Ek=1/2mv2Ek，Ek代表动能，Ep代表重力势能，h代表下落的距离，t表示时间。

动能定理：合外力做功等于动能的变化量。

重力做功等于重力势能的变化量。

机械能守恒定律：只有重力和d簧d力做功,机械能守恒.即初状态的动能,势能之和等于末状态的动能势能之和。

Ek即动能,Ep即势能,包括重力势能和d性势能。

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