半导体中的fermi能级和溶液化学电位的差异导致了电子的移动,正如pn结之间因为fermi能级差异而形成了depletion region和built-in potential
还应该注意的一点是半导体中的电子导电和溶液中的离子导电,这在分析具体问题中应该注意。
半导体和溶液接触时会形成双电层,更具体的你可以baidu或者参考半导体电化学以及溶液电化学等方面的书籍,应该有很多的。
(1)根据左手定则,电子向N端偏转,则M点电势高 ①(2)设前后两个表面相距为L,电子所受的电场力等于洛仑兹力
e
UH |
L |
设材料单位体积内电子的个数为n,材料截面积为s
I=nesv ③
s=dL ④
由②③④得:
UH=
BI |
ned |
令k=
1 |
ne |
BI |
d |
(3)增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
答:(1)M点电势高.
(2)证明如上所示.
(3)增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
1:二氧化钛晶体半导体电极(光阳极)受到能量大于其能系光辐射,产生有还原能力的电子和相对应失电子的空穴2:阴极铂黑电极与二氧化钛阳极组成化学电池,有电解质时,电子通过电解质流向阴极3:水中微弱电离是含有少量质子的,水中少量的质子从铂黑电极接受电子被还原成氢气。 这是1972年由日本化学家发表在《Nature》上的,是最早的太阳能光解水技术,现在有很多最新型的相关技术。原理已经不太一样了。建议你查查 Science ,Nature,等权威期刊,了解最新动态。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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