半导体中cvd pvdALD什么

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd:（Vapor )，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD:原子层沉积。拓展由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。

优点:(1)真空度要求不高,甚至不需要真空,如热喷覆.(2)高沉积速率,APCVD可以达到1μm/min.(3)相对于PVD,化学量论组成或合金的镀膜比较容易达成.(4)镀膜的成份多样化,包括金属、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、光电材料、聚合物以及钻石薄膜等.(5)可以在复杂形状的基材镀膜,甚至渗入多孔的陶瓷.(6)厚度的均匀性良好,LPCVD甚至可同时镀数十芯片.缺点:(1)热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解.(2)须在高温度下进行,有些基材不能承受,甚至和镀膜起作用.(3)反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性,处理需格外小心.(4)反应生成物可能残余在镀膜,成为杂质.(5)基材的遮蔽很难.

---