2、关于导师"找还是不找，这是个问题。'关于找不找导师的问题，网上一千种答案。请大家具体情况区别对待。一般来说，初试的时候，不用找。如果没有很硬的关系，找也没用。跨学校跨地区的，找也找不到。当然，如果你是本校学生，跟导师关系不错，或者你能有些小门道，又或者你报考的学校风评不太好有举办补习班历史的，就请你最好找找。但是请大家放心，这些都是极少数，大部分学校基本上还是公正优先的。而且越是名校透明度越高，如果你什么门路也没有，千万也别慌张，好好做好的该做的事情就行。我们专业复试的时候，没有一个人事先联系过导师(本校生也只是认识导师而已)，我本人连电话都没打过，还是挺欣慰现在逐渐成熟了的考研制度。
3、关于英语，如果你是六级70多的那种，请你跳过，就不用浪费时间了。都说英语是考研最大的一条拦路虎，每年都有很多上380但英语不过线而被刷的烈士，实在可惜。其实半年的努力让英语差的你混上国家线也不是很难。首先一个好消息是取消了听力，这是全国每年平均得分最低的一个部分，然后你要清楚，得阅读者得天下，一定要把这个当做最大头。关于英语复习，最重要的推荐是历年真题。这是无数考研先驱们总结出来英语复习精华。以本为本，反复做，特别是阅读部分，用新东方老师的话说"要做到没有一个词是生词，没有一个句子的语法成分是含糊的，看到一个题目，就要知道它出自于文章的那个部分。'做到这些，才叫精读。在考试前起码把真题阅读做到6遍以上，由于每年的出题原则都是有一定连贯性的，样在考试中，你对出题人的思路，模式都会有很熟悉的感觉，得心应手，即便是猜，概率也会大许多。关于世面上流行的各种阅读280/220/200/100篇什么的，没有精力就不用去看了，最多用来做泛读材料，看文章就好，对于题目的错对更不用深究，因为它们跟真题还是有很大差距的，如果变换了自己的思路反而不好。关于英语，还要推荐的就是新东方的FLASH课堂，各大BT网站都会有下的，听这个跟去总部上课一样，而且节省金钱和时间，新东方的老师们都很幽默，深入浅出，听他们的课反正不会打瞌睡，可以培养你对英语的兴趣和信心，确实不错。关于单词，只推荐一本新东方的。考研词汇量比六级还少，常考的不过一两千，但是跟四六级不一样的是，它考察单词的深度很大，平常我们只知道某个单词的最常用意思，但是考研英语往往会考到它的第二个，第三个……生僻的意思。对单词的用法，在具体语境下的解释等等，这些就要求靠生们深入地掌握每个核心的词汇。总之一句话，关于单词，求深不求多。冲刺阶段做少量模拟题，要严守时限，主要是感觉一下气氛，把握一下自己的速度，看看自己该怎么分配时间，每年都有人因为时间不够做不完考题的。因此要自己协调，哪些部分必须做细些哪些地方可以做快些，总之，根据分数分布和自己的情况合理地分配时间，这也是很重要的一件事情。
4、关于政治。政治考试是一个最奇怪的部分，准备两个月甚至两周的人经常会超过准备了半年的人，有人说运气很重要，其实不然，政治其实是最高产的，只要你花了一些工夫，而且方法对头的话，70分是很容易拿下的。关于政治，从9月份大纲下来了开始准备足以。不推荐那些大本的讲义，看着累人又浪费时间，最重要的是书的绝大部分都不会考到。买一本教育司出的，这是最权威的参考书，薄薄的一本，几天就可以翻一遍，如果你有工夫的话把它背下来，基本上你就不需要别的参考书了。不过本人最恨背书，所以再推荐一本王锁明的，也是薄薄的一本，条理清晰，串讲透彻，风评也相当好，这两本书打理论底子就够了，当然，如果你是理科生，自己感觉政治基础很差，觉得这样薄薄的参考书没什么安全感的话，那建议你买岳华亭的辅导讲义，这是所有讲义里边卖的最好的一本，整本书风格清晰，语言流畅，看着也舒服，而且老岳的哲学确实很强，可以补补你的弱底子。还有就是各种吹地天花乱缀的补习班，我负责任地说，除了强制你可以腾出时间学政治以外，基本上没有别的功效。如果你有自制力，就不用去上那些班来浪费时间浪费钱了。最后听听串讲班或许还有点用，不过若是时间不够，一律省略。现在出题组是年年反猜题，除了事实政治，其他部分命中原题的可能都很小很小，因此，到冲刺阶段，大家千万不要被泛滥的信息打乱阵脚，今天背这个老师的最后几套题，明天又跟风那个补习班的内部绝密，越耸人听闻的标题就预示着越平乏无味的结果，每年一考完就可以看见论坛上漫骂各种老师和补习班的网友，其实他们也没错，色不迷人人自迷，如果自己报着不劳而获撞大运的心态，则注定落空。越接近考试的时候，这些乱七八糟的东西就越多，你要做的只是，按照自己的进度好好复习，那些模拟题绝密题押题猜题看看就好，主观题目主要是看标准答案如何组织，有些什么样的答题模式，拿来背就实在没有必要了。习题集的话陈先奎的不用说是名声最大的了，个人觉得这本书知识点全面，而且每道选择题都带有讲解，讲解精练，确实是同类中的佼佼者。美中不足的是，题目太多浪费精力，而且毛概和邓三部分识记题过多，编排陈旧，(今年毛概部分没考一个识记题)，任汝汾的序列二序列三都还不错，题量适中，大字体，看起来心里舒服。关于习题集，重在做选择题，辨析题看看，问答题可看可不看，(都用不着背)。
5、关于专业。大家专业不同，这一块也没什么好说，如果你也是文科，就一定记得把学校指定的参考书看个烂熟，一般来说专业考试不会很难，基本上不会超过参考书的部分。专业课考上130和考下90一样的难，除了极个别的以外，大家都不会相差很多，所以虽然专业课分最重，可实际拉分的还是公共课，大家一定要处理好这个关系。
6、关于计划。考研是一个跨年度的大工程，没有计划是不行的。要根据自己的情况制定一个合适的计划，一旦拟定，就要按计划行事，表老给自己找借口，每个阶段都有不同的复习方法和时间分配。一般来说，从暑假开始，为三个阶段比较合适，7~9月是全面打底阶段在这个阶段你首先要做的事情是等各个学校的招生简章下来后，确定好你报考的学校和专业，一旦确定，就不要再动摇，然后以英语为重头，首先单词要全部解决，否则无法继续下面的复习，然后每天保持一到两篇的真题阅读(这个量并不会少，中要的是钻深砖透)政治和专业课在这个阶段都以看为主，不要求记，只要你有个全面的印象和大概的框架。10月~12月就是最重要的强化期，这个阶段是进步最快的时候，气候也最适合学习。这个阶段要以专业课为主，熟读~识记，基本上吃透了你手头的参考书，政治在这个阶段要开始做题，看一章节的书做一章节的题，做错题目再回头去找去看，这样子看书，底子就能扎得很塌实，英语仍是不能丢弃的，每天保持大约4时的学习时间。仍然是每天都要记一点单词，看一两篇阅读，(记住，单词和阅读必须贯穿复习的始终，可以每天只分配少量的时间，但不可偏废一天)，同时每个月分重点攻破一个部分。比如10月份重点做完形，11月分重点做翻译，12月份重点做作文，这些都依个人情况而定，没有定数。1月份是最后的冲刺期，不用说这个时期的重头就是政治。一个字:背。没有办法，只有背，背考试分析也行，背核心考案也行，或者是的起航最富盛名的20天20题，虽然很罗嗦，但是不背些句子在肚里是没法做论述题的。专业课基本上不会再有什么突破了，但书还是要看的，保持水准就行。英语方面，单词是不用再背了，做做模拟题，背一些作文模式，集中练练新题型，作文是很容易突击的。
7、关于作息。每天保持清醒的头脑，高效的学习，乐观的心态，比你夜夜通宵管用的多。其实每天能保持8个小时的学习时间已经非常足够了，当然前提是每个小时你都在全神贯注地学习，每个人兴奋点不一样。总之，你觉得什么时间你最兴奋最看得进书你就好好把握住那个时段，一分一秒都不要浪费，反之，如果某个时间，你怎么也看不进书，那就不要强迫自己了，开开心心地去放松一下，一张一弛，方为文武之道。
8、写在最后。罗罗嗦嗦了一大堆，我想多少会对大家有点用处吧，最后我想说的是:每个人都有自己都不会相信的潜力，选择考研也就选择了对自己的寻宝。我快乐吗?我喜欢自己吗?我对现在的生活满意吗?这些问题，也许我们每个人都在不停得问自己，不要被自己对自己的看法所约束，不要自己困住自己，大胆些超越自己，如果从不尝试，就永远不会知道自己其实可以。:)
分类: 资源共享问题描述:
我要写一篇课程结课文章，题目是“非晶态半导体的电学性质”，谁能提供点资料啊？！
解析:
以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但是仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。1975年，英国W.G.斯皮尔在辉光放电分解硅烷法制备的非晶硅薄膜中掺杂成功，使非晶硅薄膜的电阻率变化10个数量级，促进非晶态半导体器件的开发和应用。同单晶材料相比，非晶态半导体材料制备工艺简单，对衬底结构无特殊要求，易于大面积生长，掺杂后电阻率变化大，可以制成多种器件。非晶硅太阳能电池吸收系数大，转换效率高，面积大，已应用到计算器、电子表等商品中。非晶硅薄膜场效应管阵列可用作大面积液晶平面显示屏的寻址开关。利用某些硫系非晶态半导体材料的结构转变来记录和存储光电信息的器件已应用于计算机或控制系统中。利用非晶态薄膜的电荷存储和光电导特性可制成用于静态图像光电转换的静电复印机感光体和用于动态图像光电转换的电视摄像管的靶面。
具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究，当时很少有人注意，直到1968年S.R.奥弗申斯基关于用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后，才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应，使控制电导和制造PN结成为可能，从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论方面，P.W.安德森和莫脱，N.F.建立了非晶态半导体的电子理论，并因而荣获1977年的诺贝尔物理学奖。目前无论在理论方面，还是在应用方面，非晶态半导体的研究正在很快地发展着。
分类 目前主要的非晶态半导体有两大类。
硫系玻璃。含硫族元素的非晶态半导体。例如As-Se、As-S，通常的制备方法是熔体冷却或汽相沉积。
四面体键非晶态半导体。如非晶Si、Ge、GaAs等，此类材料的非晶态不能用熔体冷却的办法来获得，只能用薄膜淀积的办法(如蒸发、溅射、辉光放电或化学汽相淀积等)，只要衬底温度足够低，淀积的薄膜就是非晶态结构。四面体键非晶态半导体材料的性质，与制备的工艺方法和工艺条件密切相关。图1 不同方法制备非晶硅的光吸收系数 给出了不同制备工艺的非晶硅光吸收系数谱，其中a、b制备工艺是硅烷辉光放电分解，衬底温度分别为500K和300K，c制备工艺是溅射，d制备工艺为蒸发。非晶硅的导电性质和光电导性质也与制备工艺密切相关。其实，硅烷辉光放电法制备的非晶硅中，含有大量H，有时又称为非晶的硅氢合金；不同工艺条件，氢含量不同，直接影响到材料的性质。与此相反，硫系玻璃的性质与制备方法关系不大。图2 汽相淀积溅射薄膜和熔体急冷成块体AsSeTe的光吸收系数谱 给出了一个典型的实例，用熔体冷却和溅射的办法制备的AsSeTe样品，它们的光吸收系数谱具有相同的曲线。
非晶态半导体的电子结构 非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带(见固体的能带)。材料的基本能带结构主要取决于原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应于价带；反键态对应于导带。无论是Ge、Si的晶态还是非晶态，基本结合方式是相同的，只是在非晶态中键角和键长有一定程度的畸变，因而它们的基本能带结构是相类似的。然而，非晶态半导体中的电子态与晶态比较也有着本质的区别。晶态半导体的结构是周期有序的，或者说具有平移对称性，电子波函数是布洛赫函数，波矢是与平移对称性相联系的量子数，非晶态半导体不存在有周期性， 不再是好的量子数。晶态半导体中电子的运动是比较自由的，电子运动的平均自由程远大于原子间距；非晶态半导体中结构缺陷的畸变使得电子的平均自由程大大减小，当平均自由程接近原子间距的数量级时，在晶态半导体中建立起来的电子漂移运动的概念就变得没有意义了。非晶态半导体能带边态密度的变化不像晶态那样陡，而是拖有不同程度的带尾(如图3 非晶态半导体的态密度与能量的关系 所示)。非晶态半导体能带中的电子态分为两类：一类称为扩展态，另一类为局域态。处在扩展态的每个电子，为整个固体所共有，可以在固体整个尺度内找到；它在外场中运动类似于晶体中的电子；处在局域态的每个电子基本局限在某一区域，它的状态波函数只能在围绕某一点的一个不大尺度内显著不为零，它们需要靠声子的协助，进行跳跃式导电。在一个能带中，带中心部分为扩展态，带尾部分为局域态，它们之间有一分界处，如图4 非晶态半导体的扩展态、局域态和迁移率边 中的和，这个分界处称为迁移率边。1960年莫脱首先提出了迁移率边的概念。如果把迁移率看成是电子态能量的函数，莫脱认为在分界处和存在有迁移率的突变。局域态中的电子是跳跃式导电的，依靠与点阵振动交换能量，从一个局域态跳到另一个局域态，因而当温度趋向0K时，局域态电子迁移率趋于零。扩展态中电子导电类似于晶体中的电子，当趋于0K时，迁移率趋向有限值。莫脱进一步认为迁移率边对应于电子平均自由程接近于原子间距的情况，并定义这种情况下的电导率为最小金属化电导率。然而，目前围绕著迁移率边和最小金属化电导率仍有争论。
缺陷 非晶态半导体与晶态相比较，其中存在大量的缺陷。这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有着重要的影响。四面体键非晶态半导体和硫系玻璃，这两类非晶态半导体的缺陷有着显著的差别。
非晶硅中的缺陷主要是空位、微空洞。硅原子外层有四个价电子，正常情况应与近邻的四个硅原子形成四个共价键。存在有空位和微空洞使得有些硅原子周围四个近邻原子不足，而产生一些悬挂键，在中性悬挂键上有一个未成键的电子。悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。因为受主态表示悬挂键上有两个电子占据的情况，两个电子间的库仑排斥作用，使得受主能级位置高于施主能级，称为正相关能。因此在一般情况下，悬挂键保持只有一个电子占据的中性状态，在实验中观察到悬挂键上未配对电子的自旋共振。1975年斯皮尔等人利用硅烷辉光放电的方法，首先实现非晶硅的掺杂效应，就是因为用这种办法制备的非晶硅中含有大量的氢，氢与悬挂键结合大大减少了缺陷态的数目。这些缺陷同时是有效的复合中心。为了提高非平衡载流子的寿命，也必须降低缺陷态密度。因此，控制非晶硅中的缺陷，成为目前材料制备中的关键问题之一。
硫系玻璃中缺陷的形式不是简单的悬挂键，而是“换价对”。最初，人们发现硫系玻璃与非晶硅不同，观察不到缺陷态上电子的自旋共振，针对这表面上的反常现象，莫脱等人根据安德森的负相关能的设想，提出了MDS模型。当缺陷态上占据两个电子时，会引起点阵的畸变，若由于畸变降低的能量超过电子间库仑排斥作用能，则表现出有负的相关能，这就意味着受主能级位于施主能级之下。用 D、D、D 分别代表缺陷上不占有、占有一个、占有两个电子的状态，负相关能意味着：
2D —→ D+D
是放热的。因而缺陷主要以D、D形式存在，不存在未配对电子，所以没有电子的自旋共振。不少人对D、D、D缺陷的结构作了分析。以非晶态硒为例，硒有六个价电子，可以形成两个共价键，通常呈链状结构，另外有两个未成键的 p电子称为孤对电子。在链的端点处相当于有一个中性悬挂键，这个悬挂键很可能发生畸变，与邻近的孤对电子成键并放出一个电子(形成D)，放出的电子与另一悬挂键结合成一对孤对电子(形成D)，如图 5 硫系玻璃的换价对 所示。因此又称这种D、D为换价对。由于库仑吸引作用，使得D、D通常是成对地紧密靠在一起，形成紧密换价对。硫系玻璃中成键方式只要有很小变化就可以形成一组紧密换价对，如图6 换价对的自增强效应 所示，它只需很小的能量，有自增强效应，因而这种缺陷的浓度通常是很高的。利用换价对模型可以解释硫属非晶态半导体的光致发光光谱、光致电子自旋共振等一系列实验现象。
应用 非晶态半导体在技术领域中的应用存在着很大的潜力，非晶硫早已广泛应用在复印技术中，由S.R.奥夫辛斯基首创的 As-Te-Ge-Si系玻璃半导体制作的电可改写主读存储器已有商品生产，利用光脉冲使碲微晶薄膜玻璃化这种性质制作的光存储器正在研制之中。对于非晶硅的应用目前研究最多的是太阳能电池。非晶硅比晶体硅制备工艺简单，易于做成大面积，非晶硅对于太阳光的吸收效率高，器件只需大约1微米厚的薄膜材料，因此，可望做成一种廉价的太阳能电池，现已受到能源专家的重视。最近已有人试验把非晶硅场效应晶体管用于液晶显示和集成电路。
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