IGBT是可控器件,即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件,将母线上的直流电转化为交流输出,也就是常说的逆变单元。相近应用的元件比较,IGBT较GTO具备更高的开关频率,较MOS具备更高的耐压。
IGBT相对于MOSFET的缺点有二:
1)开关速度低。
2)同时有多子和少子起作用,这导致他工作的时候是内阻是负温度系数。这不利于多管并联,也不利于高可靠性工作。
优点,那就是应为是少子和多子同时起作用。所以导通压降小。
2.电子,空穴,正,3,空穴,电子,负3.单向导通,正向(正偏),反向(反偏)
4.反向击穿,加限流电阻
5.基,集电,发射,PN,基,集电极,发射极
6.VEF,正极,负极,击穿
7.共射,共基,共集
8.发射结正偏,集电结反偏
9.截止,饱和,线性
10.输出信号,反馈信号,负反馈,正反馈,电压并联,电压串联,电流并联,电流串联
11.电压,电流,电感
12.增益,输入和输出,输入电阻较高,输出电阻较小
13.正相,反相,共模输入,差模输入,单端输入
14.接近于1,较高,较小,电流
15.20lg|Avd/Avc|,差
16.反相器,电压跟随
17.变压,整流,滤波,稳压
18.20X20X250=100000
19.深度负反馈,F=0.2
20.15
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