急求解一道半导体物理方面的题~谢谢了！望半导体物理方面牛人解答！

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)

2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV

3.为了得到肖特基结，要求P型半导体满足Wm<Ws,所以应选择Al，作为金属构成肖特基结。

4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV

5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV

（1）由于本征下ni=1.5*10^10判定为重掺杂,掺杂大小知，整体属于P型半导体。

(2) 考查费米能级与掺杂深度关系

(3)(4)考查费米能级的关系

详细解法上图。不过你这个ni=1.5*10^10是比较少见。

这老师是不是你们数学老师啊，搞得算术那么复杂，本来一直ni=10^10cm-3还要弄成1.5倍。估计是防抄的吧，虽然难算了点，还是算出来了，你再演算一次，大体解法是对了。

1.5*10^10少第二行少写了，最后一行应是6*10^15其它的没什么错了

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