静电吸附 半导体wafer怎样吸住的

静电吸附 半导体wafer怎样吸住的,第1张

带电荷的物体,产生电场,而处于电场中的纸,被电场极化,并因为“正负相吸”的原因,被带电物体吸引。

静电 是一种处于静止状态的电荷。在干燥和多风的秋天,在日常生活中,人们常常会碰到这种现象:晚上脱衣服睡觉时,黑暗中常听到噼啪的声响,

半导体晶圆静电卡盘有多种形状、尺寸和材料可供选择。它们通常是圆形的,比晶圆尺寸稍大。常见的尺寸范围从直径50毫米到超过300毫米。

大多数卡盘具有圆形(同心)环真空设计,并且通常会夹持小管芯、部分晶片和整个晶片。例如,150毫米(6英寸)卡盘将具有真空环图案,允许夹持单个芯片、50毫米、75毫米、100毫米和150毫米晶圆。 硅集成器件和电路的物理尺寸对晶片器件的处理施加了一定的限制。

在这方面,我们将开始与探针站的讨论,这是处理硅片或die芯片的关键设备,并为晶片探测提供了机械力学设备。 我们会向读者介绍通常用于射频和微波器件表征的共面波导探针。 测量装置的另一个重要部分是校准衬底基板,它允许我们在实际测量之前校准设置。

最后,我们会向读者介绍由探针站及其所有附件组成的整个测量装置以及矢量网络分析仪(VNA)。 不熟悉的读者可能认为这些设备微不足道,但它们在表征过程中起着至关重要和独特的作用。

在测试装置和测量仪器之间,使用晶片探针和任何其他同轴传输介质提供信号传播手段。 对于线性器件的宽带频域表征,我们通常使用矢量网络分析仪(VNA)作为选择的仪器。 在一个单一的测量设置中连接所有上述部分可能显得微不足道,但只有那些熟练的专家才能真正理解所有的技术细节。 本文的目的是引导读者通过微波微波表征过程,并介绍必要的设备。


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