rgth60ts65参数及代换

1、参数：制造商ROHM(罗姆半导体)，产品种类：IGBTTransistors，RoHS：Details，技术：Si，安装风格：ThroughHole，Collector-EmitterVoltageVCEOMax：650V，Collector-EmitterSaturationVoltage：1。6V，MaximumGateEmitterVoltage：+/-30V，ContinuousCollectorCurrentat25C：58A，Pd-功率耗散：194W，最小工作温度：-40C最大工作温度：+175C，系列：TubeContinuousCollectorCurrentIcMax：58A工作温度范围：-40Cto+175C，ContinuousCollectorCurrent：30A，Gate-EmitterLeakageCurrent：+/-200nA，工厂包装数量：450，单位重量：0。070548oz。

2、FGA60N65与fga60n60二极管是可以互换。

罗姆是日本著名的半导体生产厂家。主要生产产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块产品、半导体应用产品、医疗器具。在世界半导体行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。

ROHM公司总部所在地设在日本京都市,1958年作为小电子零部件生产商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步进入了 晶体管、二极管领域和IC等半导体领域.2年后的1971年ROHM作为第一家进入美国硅谷的日本企业,在硅谷开设了IC设计中心.以当时的企业规模，凭借被称为"超常思维"的创新理念，加之年轻的、充满梦想和激情的员工的艰苦奋斗，ROHM迅速发展。详情请见官网http://www.rohm.com.cn/corporate/history.html

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