ruo2是半导体吗

是。

5.ruo2是一种n-型半导体。

但是稳定性和催化活性仍有不足考虑到调控材料的电子结构可以影响催化剂的稳定性和活性,我们试图构筑p-n结结构,再结合co3o4具有较好的析氧活性且是p型半导体,利用p型半导体与n型半导体之间的相互作用,提升ruo2的电析氧成为解决上述问题的关键所在。

目前的晶片电阻已发展至最小尺寸可达1.0 x 0.5mm，且可以制成2~8颗电阻并排成一颗之排阻(resistor array)，不但使电路板面积大幅缩小，且降低了好几倍元件置放时间。

电阻的制作方法可分为厚膜制程及薄膜制程，

厚膜制程之流程如下图1所示：在整个厚膜电阻的制程中，厚膜胶(包括电阻胶及导电胶) 材料为关键技术，因为其特性即决定了电阻的特性。电阻胶的组成是选用低温度系数RuO2为主成份再混合玻璃及高份子载体(vehicle)而组成，而导电胶的成份亦类似，只是RuO2改用电阻率极低的Ag为主。

厚膜胶的制程如图2所示：电阻在使用时，由於会消耗功率而产生热，伴随著电阻体本身含有温度上升的现象。因此，电阻温度系数(Temperature Coefficient of Resistance，TCR)便成为电阻稳定性最重要的指标之一，电阻温度系数的计算方式如下：TCR愈低，表示电阻随温度变化愈小，阻值愈稳定，厚膜材料的TCR约为200~300 ppm/k之间(铜约为4000 ppm/k)。由於厚膜胶必须含有一定成份的玻璃，因此TCR的控制相当不容易，目前的厚膜电阻的特性己相当固定，不易有明显的改进空间。相对地，薄膜电阻是利用半导体的原理，以物理的气相沈积技术(Physical Vapour Deposition，PVD)，包括溅镀(sputtering deposition)、蒸镀(evaporation deposition)等方式，将电阻材料被覆於氧化铝基板上，因此材料所选择变得很有d性，目前常用的NiCr，NiCu，TaN…等材料。由於薄膜制程可获得之材料没有混杂其他如玻璃等杂质，因此TCR可控制在50 ppm/k以下，甚至趋近0 ppm/k。除此之外，由於电阻体可利用黄光微影(lithography)的方式制作不同的线路图案(pattern)，且线径的控制非常精确，因此，阻值范围可以做的很广，且在某些阻值范围甚至可做到免除雷射切割修整阻值的步骤。薄膜电阻制程之流程图，如图3所示：利用半导体类似等级的设备来生产薄膜电阻，在成品特性拥有许多厚膜可不及的优点，但因为成本仍高，因此未能广泛应用。目前晶片电阻市埸仍由厚膜电阻占绝大部份。最近由於in-line全自动溅镀设备成本大幅降低，加上微影制程改良，薄膜电阻成本在1~2年内将降低至接近厚膜电阻的水准。

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