半导体污水处理流程

单晶硅有机硅独特的结构，高纯的单晶硅是重要的半导体材料，具备了无机材料与有机材料的性能，市场上晶闸管、场效应管、二极管、三极管、芯片、CPU以及各种集成电路都是用硅做为原材料的，在对半导体设备的加工过程中会产生大量含有硅废水，本文讲解一下关于半导体工艺产生的废水有哪些？废水处理的流程是什么？

半导体含硅废水处理工艺流程：

1、一级沉淀池，用于沉淀回收部分二氧化硅

2、一级混凝池，用于投加混凝剂去除废水中的胶体硅和溶解硅，与所述一级沉淀池连接

3、二级混凝池，用于投加助凝剂和成核剂，利用成核剂反应析出的沉淀物(泥渣)作为接触介质加快沉淀物的长大，提高混凝效果，与所述一级混凝池连接

4、二级沉淀池，用于固液分离，沉淀混凝后的絮体，与所述二级混凝池连接

在对含硅废水进行初步沉淀时是可以回收部分的二氧化硅，在初步沉淀后的废水投加混凝剂进行一级混凝，去除废水中的胶体硅和溶剂硅，完成一级混凝后的废水投加助凝剂和成核剂，这时将会析出的沉淀物，析出的沉淀物在下落的过程中可以于其他的悬浮物混合，加快了沉淀的速度，提高混凝效果。

该半导体含硅废水处理方法结合了多种混凝除硅方法，药剂得到充分利用时形成协同效应，处理 *** 作简单而且能达到较好的除硅效果。

三星半导体的八大工艺包括：1、热处理；2、光刻；3、金属化学气相沉积（MOCVD）；4、电镀/电子束蒸镀(EBL) ；5、表面处理/封装 ；6、测试/可靠性测试 ；7 、切割/打样 ；8 、回收。

半导体单晶生长方式中直拉法和悬浮法的优缺点如下：

1、直拉法优点：工艺成熟，可拉出大直径硅棒，是目前采用最多的硅棒生产方法。

2、直拉法缺点：直拉法中会使用到坩埚，而坩埚的使用会带来污染。同时在坩埚中，会有自然对流存在，导致生长条纹和氧的引入。直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。

3、悬浮区熔法优点：多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。与直拉法相比，去掉了坩埚，没有坩埚的污染，因此能生长出无氧的，纯度更高的单晶硅棒。

4、悬浮区熔法缺点：应用范围比较窄，不及直拉工艺成熟，单晶中一些结构缺陷没有解决。

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