半导体wet设备有哪些

硅片晶圆清洗机、蚀刻机、单片清洗机、电镀设备。半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体wet设备有硅片晶圆清洗机、蚀刻机、单片清洗机、电镀设备。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。

单晶硅有机硅独特的结构，高纯的单晶硅是重要的半导体材料，具备了无机材料与有机材料的性能，市场上晶闸管、场效应管、二极管、三极管、芯片、CPU以及各种集成电路都是用硅做为原材料的，在对半导体设备的加工过程中会产生大量含有硅废水，本文讲解一下关于半导体工艺产生的废水有哪些？废水处理的流程是什么？

半导体含硅废水处理工艺流程：

1、一级沉淀池，用于沉淀回收部分二氧化硅

2、一级混凝池，用于投加混凝剂去除废水中的胶体硅和溶解硅，与所述一级沉淀池连接

3、二级混凝池，用于投加助凝剂和成核剂，利用成核剂反应析出的沉淀物(泥渣)作为接触介质加快沉淀物的长大，提高混凝效果，与所述一级混凝池连接

4、二级沉淀池，用于固液分离，沉淀混凝后的絮体，与所述二级混凝池连接

在对含硅废水进行初步沉淀时是可以回收部分的二氧化硅，在初步沉淀后的废水投加混凝剂进行一级混凝，去除废水中的胶体硅和溶剂硅，完成一级混凝后的废水投加助凝剂和成核剂，这时将会析出的沉淀物，析出的沉淀物在下落的过程中可以于其他的悬浮物混合，加快了沉淀的速度，提高混凝效果。

该半导体含硅废水处理方法结合了多种混凝除硅方法，药剂得到充分利用时形成协同效应，处理 *** 作简单而且能达到较好的除硅效果。

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.

RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液：

（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.

（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀.

（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.

（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污.在室温下HPM就能除去Fe和Zn.

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化.

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