半导体中的少数载流子是怎样产生的？为什么当环境温度升高时，PN结的反向电流会增大？

半导体中的少数载流子是根据掺杂情况产生的，如掺的是电子，空穴就成了少数载流子。当环境温度升高时，物质分子运动加剧，共价键中电子能量也随之增大，不受约束的电子运动增多，导致PN结的反向电流会增大。

多数载流子是半导体物理的概念，对于杂质半导体,N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子),而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。

半导体材料中有电子和空穴两种载流子。 在 N 型半导体中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

少数载流子寿命英文名称：minority carrier lifetime 定义：半导体材料中非平衡载流子因复合其浓度降为1/e的时间。 应用学科：材料科学技术（一级学科）；半导体材料（二级学科）；总论（二级学科）

载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。

例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。

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