在全国半导体项目遍地开花的表象下，潜藏了以下几点隐忧。
一是投资人动机不纯，芯片变“芯骗”。近年来，一些利用地方政府急于求成的心理，套取国有资金扶持，结果钱没少花，芯片项目却没有多少进展，使地方政府蒙受巨额损失。这方面，武汉弘芯和济南泉芯是典型代表。武汉弘芯号称投资1280亿元，但实际到位资金却非常有限，从始至终大股东缺乏投资诚意，时至今日实缴资本依然为零，在武汉政府投入的真金白银烧光之后项目就陷入休克状态。同样的手法在济南泉芯再度上演，在2020年2月，济南泉芯实际到位资金约5.1亿元，实际出资仍是地方政府实际控制的国有企业，这与武汉弘芯如出一辙。
二是诱发官商勾结，带来腐败和权力寻租。当下，政府对半导体技术的投资是不遗余力的，海量国有资金涌向半导体行业。不少人就以不正当方式打通关节，获取高额国有资金大肆挥霍，这方面最典型的例子就是德淮半导体。德科码创始人利用在美国、日本求学、工作的背景，在南京、宁波、淮安三地开始公司，并套取海量国有资金。最终，号称投资30亿美元的南京德科码在2020年5月申请破产，宁波承兴半导体在获得700万政府资金后就没有后续了，德淮半导体烧钱46亿元之后无疾而终，地方政府为此背负了巨额债务。在整个过程中，腐败问题丛生。
三是技术引进贪大求洋，陪了夫人又折兵。当下，一些官员不善于培育本土企业，反而非常热衷于招商引资，寄希望于请“洋和尚”来念经，仿佛洋和尚念几句咒语，一个产业就能凭空变出来。面对一些跨国公司，瞬间就被迷花了眼，不惜血本高额投资，结果不仅没能引进技术，反而陪人夫人又折兵，这方面最典型的案例就是成都格芯和贵州华芯通。2017年，格罗方德与成都政府共同投资90亿美元建设一条12寸晶圆代工线。然而，巨额投资并没有起到多少效果，成都格芯早已名存实亡，一直在寻找接盘者，只不过没人敢当白衣骑士。目前，晶圆厂里价值百亿元的设备只能放在那里积灰尘。贵州华芯通则是又一个惨烈的案例。2016年1月，贵州政府与高通合资成立华芯通，总投资18.5亿元，虽然华芯通高调标榜自主，但实际上，这款ARM服务器CPU就是高通ARM服务器CPU的马甲。由于ARM服务器CPU在商业市场上根本没有市场，众多曾经押宝ARM的厂商也难以为继，高通决定放弃ARM服务器CPU，在高通放弃ARM服务器CPU之后，华芯通就变成无根之木，自然而然也就关门了。
四是罔顾外部风险盲目投资害人害己。随着信创市场已经成为风口，为了进入信创市场和斩获更多市场份额，一些ARM阵营厂商不是以产品和服务为卖点，而是以政商关系为突破口，将“洋人地基上造房子”的技术包装成自主技术，在全国各地大肆搞圈地运动，向地方政府要政策和市场，搞单一来源采购。目前，C公司全国设立16家公司，H公司则与北京、天津、福州、厦门、成都、绵阳、重庆、上海、郑州、许昌、青岛、济南、合肥、西安、九江、南京、广州、深圳、东莞、南宁、太原、杭州、宁波、桐乡、武汉、长沙、醴陵、哈尔滨、沈阳、长春等城市签订协议，建立KP产业基地，从公司经营的角度看，C公司和KP在短时间内高频率的设立全资子公司和建设产业基地是不太符合商业逻辑的。因为这些子公司和产业基地大部分功能雷同，业务重叠，而且整机制造压根就不是高 科技 ，机关单位市场规模有限，这种规模的投产会带来严重的产能过剩问题。前不久，随着外部环境越发严峻，H公司已经失去ARM芯片流片渠道，全国的KP产业基地面临缺芯的困局，生产能力和交付能力受到严重影响，很多地方政府重金投资的整机厂几乎处于半休克状态。原本可以用来弥补芯片制造、设备、原材料等短板的资金，就这样被浪费在整机厂生产线上。
芯片产业是需要以十年磨一剑的方式细细打磨的，并非短期打鸡血就能够做成的。
目前，国内掀起的“造芯”运动是非理性的，很多投身“造芯”的企业不仅在技术积累上少的可怜，还存在动机不存的问题。
从产业发展的角度看，芯片是高投资、长周期的项目，需要的是集中资源重点发展，如今，全国各省发展半导体产业，只会把有限的力量分散，白白浪费了海量国有资金和时间。
从全球来看，美国半导体企业主要集中在硅谷，日本半导体产业集群位于九州硅岛，韩国半导体产业集群位于京畿道和忠清道，我国台湾省的半导体企业高度集中于新竹科学园区，都不存在全国各地遍地开花的情况。
技术发展必须遵循客观规定，必须循序渐进，地方政府不要妄图短期用政策和国有资本一口气吃成胖子，不要妄图短期用行政资源砸出一个产业，方式方法不对，投入的资源越多，最终也只会鸡飞蛋打，南辕北辙。
当下，顶层应当加强对半导体产业的统筹，以十年磨一剑的态度规划和发展产业。在产业政策制定中，要根据各地实际情况和现有的产业特点进行布局，使设计、制造、设备、原材料、封装全产业链齐头并进。在国有资金的使用上，要抑制地方政府的非理性投资，对于半导体产业扶持资金的发放进行严格审核。要发挥集中力量办大事的制度优势，把资金和时间用于扶持本土厂商中的“绩优股”和“潜力股”。
露笑 科技 最近有点火啊。
在老师们骂他是骗子、“露笑 科技 把人整笑了”后，露笑 科技 也迎来大跌，跌了20%左右。
股吧、雪球众人都各持己见，论战不休。
但是并没有业内人士出来说道说道这个，这就有点神奇了。
行外看热闹，非专业人士说的东西，大家要有一些判断。
现代科学的发展进步，其实已经到了普通人很难理解的程度了，不信你看看下面这个“标准模型”的公式：
要是你不懂这个标准模型的话，第三代半导体，你也就是连入门都说不上了。
不知道老师们懂不懂这个啊。
01
首先简介一下第三代半导体
1. 导体和半导体
量子力学认为，组成物质的原子是由原子核和电子组成的，电子以电子轨道的方式在核外运动。
原子和原子组成物体时，会有很多相同的电子混在一起，这个相混的过程就是化学反应，形成化学键，就产生了新分子。
但是两个相同的电子没法呆在一个轨道上，为了让这些电子不在一个轨道上打架，于是很多轨道就再分裂出好几个轨道。
可是这么多轨道，一不小心挨得近了，就会挤在一起，形成宽轨道，这个宽轨道，就叫做能带。
有些宽轨道上，挤满了电子，电子就没法移动，宏观上就表现为绝缘，这个就叫做价带。
而有些款轨道，则空旷的很，电子大把空间自由移动，宏观上就表现为导电，这个就叫做导带。
固体里面充满了价带和导带，价带和导带之间往往是有间隙的，这个间隙就叫做禁带。
导带和价带之间挨得很近，那么电子就可以毫不费力地从价带变更车道到导带上，这就是导体。
如果稍微离得远了点，电子自身就不能跨过禁带，但是如果也不是离得非常远，禁带在5ev内，那么给电子加个额外能量，电子也能跨过禁带，这就是半导体。
假如禁带大于5ev，那基本就歇逼菜了，电子在普通情况下是跨不过去的，这就是绝缘体。
当然，凡事都有例外嘛，如果能量足够大，别说5ev的禁带，就是5000ev的禁带也能一冲而过，这个就叫击穿场强（这个东西很重要，不信继续看下去）。
当然，禁带越宽，击穿场强越高。
击穿场强越高，就越耐草。
2. 第三代半导体
不要被第三代给吓着了，哈哈。
第三代半导体，严谨地来说，叫做宽禁带半导体，也就是禁带宽于现在的硅基半导体。
按照半导体材料能带结构的不同，禁带宽度如果小于2.3ev，那就是窄禁带半导体，代表材料有：GaAs、Si、Ge、InP（有读者可能不了解化学，这几个材料翻译成中文就是：砷化镓、硅、锗、磷化铟）。
如果禁带宽度大于2.3ev，那就叫做宽禁带半导体，代表材料有：GaN、SiC、AlN、AlGaN（中文名：氮化镓、碳化硅、氮化铝、氮化镓铝）。
由前文分析，我们可知，半导体禁带宽度越大，则其电子跃迁到导带需要的能量也就越大。
呵呵，那当然击穿场强也越大了，这意味着材料能承受的温度和电压更加高。
由此可知，宽禁带半导体和集成电路，也就是和逻辑芯片，没有什么太大关系了。
逻辑芯片的核心在于怎么把晶体管做小，也就是制程提高。
而电力电子器件、激光器，则是怎么考虑承受更高的电压、电流、频率、温度，然后有更小的电力损耗，以应用在各种恶劣环境和大功率环境下。
想的是怎么耐草的问题。
所以，宽禁带半导体大展身手的地方，在电力电子器件、激光发生器上。
目前比较有希望的两种材料是碳化硅和氮化镓，其他的长晶很困难。
碳化硅主要用在功率器件上，现在最热的就是用在电动车上，因为带来电力损耗减少，能够提高电动车的续航。
以后在光伏和风电发电中，用上碳化硅的话，也能够提高发电效率，促进度电成本下降。
所以在这么一个政治家推动的电气化时代，其需求是很迫切的。
氮化镓则主要是用于微波器件上，比如5G基站的射频芯片就要用到它，否则效果就比较差。
特别是军方的电磁对抗，更加需要氮化镓，来增加单位微波功率。
在5G时代，氮化镓是不可或缺的。
02
露笑是个大坑吗
国内的话，研究宽禁带半导体主要有3个流派，中科院物理所、中科院上海硅酸盐所、山东大学，最主要的研究方向就是宽禁带半导体衬底的晶体生长。
因为这个行业最源头的，以及最难的，就是衬底片的制造。
就像硅基的半导体，要是没有硅片，那做毛个芯片呢？
这三个流派都是90年代开始就开启研究了，起步时间和国外是差不太多的，读者有兴趣可以自行搜索下他们的论文。
中科院物理所是陈小龙领头，成立产学研转化的企业是天科合达。
这个企业去年撤回了IPO，有些奇怪。
坊间传闻，据说是陈小龙出走了。
天科合达的金主是新疆生产建设兵团，控股方是天富集团，A股的影子股是天富集团控股的天富能源，占了10.66%的股份。
山东大学是徐现刚领头，产学研的企业是山东天岳。
原本的领头人是徐现刚的老师蒋民华院士，遗憾的是这位大佬不幸于2011年逝世，事未竟而身先死，科学真的是烧人的事业啊。
这里向领路的大佬致以崇高的敬意！
山东天岳前段时间参加了上市辅导，相信很快就会跟大家在A股见面。
大家对他的热情也是非常高涨啊，穿透下来只有他股权2%的柘中股份都被资金顶了7个板。
中科院上海硅酸盐所，则是陈之战领头。
陈之战之前在世纪金光干过，后来20年5月份，和露笑 科技 走在了一起。
这个露笑 科技 ，算是最近的股吧热门了。
涨了一倍之后，前几天就出来自媒体的老师们在微信公众号、抖音等平台出来说，这是家蹭热点的骗子公司。
对比大家一定要有自己的判断，要知道这些老师并不是业内人士，很有可能不懂技术，只是翻了一下二手资料。
露笑 科技 曾经追逐热点，投资的锂电池、光伏也都失败了。
但是并不能以此推导出他的管理层就是坏家伙。
露笑 科技 原来的主营业务漆包线，是人都知道的传统行业，竞争激烈，管理层当然也知道这是没有什么前途的。
谋取转型，某种程度上说明管理层是有进取心的。
但转型是困难的，踏足一个未知领域，哪有这么简单。
这个头疼的东西，山西的煤老板们最清楚了。
而做一级投资的都知道，热门行业的好项目，是拼爹的玩意儿，要各种关系、资源的，那个东西是你手上有钱就能投的进去的吗？
但是如果没有投到厉害的公司身上，那大概率是要被有爹的给干死的。
在低潮期捡漏，像高瓴投腾讯、段永平投网易，都是高难度动作，传奇故事，需要天时地利人和来配合，这种机会不仅是少，而且非常难把握。
碳化硅这个东西嘛，以往并不是很热，因为商业化应用的领域没有出来。
陈小龙在媒体采访时就曾经透露到，天科合达在成立后的10多年里未曾盈利，给投资方和团队都带来了非常大的压力。
而美国军方扶持起来的CREE，就算有军方爸爸，但是在2016年的时候也顶不住，想要把企业卖给英飞凌。
而电动车领域里，就在2020年，特别疫情期间，大家还怀疑，补贴退坡之后，会不会就面临死亡了。
当时还有人专门写了《预言一场电动爹大逃杀》来看空呢。
那你们想想，碳化硅器件目前最好的应用场景，在去年都还是这个熊样，谁又会多留意碳化硅呢？
当时的大热门还是功率器件的国产替代，是硅基的IGBT、MOSFET，是斯达半导体、新洁能。
所以20年露笑 科技 找到陈之战，或许和以往的投资，有些不同吧。
国内碳化硅衬底还局限在二极管的应用，芯片质量主要来自于衬底，也因此几乎国内SiC器件都来自国外。
目前碳化硅四寸片，做的比较好的是天科合达、河北同光以及山西烁科等几家企业。
但是六寸量产（每个月稳定出货量在几百片）的厂商，目前还基本没有。
也就是说，三大流派其实还是半斤八两，都还需要突破，否则华为怎么对天科合达和山东天岳都一起投资呢？
当下这个阶段就是，谁能率先突破，谁就会享有先发优势，并在行业景气的助力下，实现超额收益，获得市场的估值溢价。
或许当合肥露笑半导体的碳化硅衬底片出来后，华为也会进来投资一笔呢。
合肥市政府号称最牛风投，人家可不是傻子。
至于说露笑 科技 没有技术积累，这真不知道怎么说，陈之战大哥和他的团队、学生已经研究了20多年了。
很可能是，露笑 科技 的蓝宝石业务部门，19年在给中科钢研代工碳化硅长晶炉的时候，突然发觉这是个有戏的行业，随后才找到了陈之战。
总之，对于露笑 科技 ，大家要有自己的判断，核心点有且只有一个，陈之战团队能不能扎下根来。
最后，做个总结。
君临认为，目前碳化硅的投资，最好的应该是衬底环节，这个环节现在产能不足、壁垒极高。
而衬底的企业，则主要是看已经研究了20多年的国内三大流派旗下企业。
按照中国的科研环境、功率器件企业发展状况来说，其他的团队压根没法分杯羹。
材料技术是积累出来的，烧人烧时间，更加烧钱。
现在行业热了再来开始研发，短时间根本不可能见效。
中科院的两个研究所，山东大学蒋院士的团队，科研的资源肯定是最丰富的，但是人家陈小龙都说压力很大，所以别的团队申请科研基金都不容易。
露笑 科技 说9月份能试生产，年底批量生产，而且是6英寸的，有陈之战在，应该不是讲大话。
一旦衬底片年底真的量产了，那就是国内领先了，以国内资金对 科技 的热度，自然会有神秘的东方估值力量。
宽禁带半导体领域里，全球都还是在懵懵懂懂的阶段，咱们和美国虽然有差距，但也不是这么大。
特别是他的主要应用领域，新能源发电、新能源 汽车 、5G通讯、航空航天、电磁对抗，咱们国家都是最大的应用市场和制造商，特别是光伏、风电、电动车、5G这些大规模民用的领域。
技术的进步还是源自经济利益的驱使，产业的需求对于技术进步的作用是最大的。
所以宽禁带半导体的投资在目前是大有可为，很有可能在我们国家诞生全球龙头，这个想象空间大不大？
至于氮化镓等材料，以及外延、器件设计制造等环节，行业本就是新兴的，肯定也是有大机会的，君临会在后续的跟踪文章中持续输出，带领读者彻底搞定这个领域。
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