电镀 是什么意思 什么东西讲解

电镀(Electroplating)就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止金属氧化（如锈蚀），提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性(硫酸铜等）及增进美观等作用。不少硬币的外层亦为电镀。利用电解池原理在机械制品上沉积出附着良好的、但性能和基体材料不同的金属覆层的技术。电镀层比热浸层均匀，一般都较薄，从几个微米到几十微米不等。通过电镀，可以在机械制品上获得装饰保护性和各种功能性的表面层，还可以修复磨损和加工失误的工件。此外，依各种电镀需求还有不同的作用。举例如下：1.镀铜：打底用，增进电镀层附着能力，及抗蚀能力。（铜容易氧化，氧化后，铜绿不再导电，所以镀铜产品一定要做铜保护）2.镀镍：打底用或做外观，增进抗蚀能力及耐磨能力，(其中化学镍为现代工艺中耐磨能力超过镀铬)。（注意，许多电子产品，比如DIN头，N头，已经不再使用镍打底，主要是由于镍有磁性，会影响到电性能里面的无源互调）3.镀金：改善导电接触阻抗，增进信号传输。(金最稳定，也最贵。)4.镀钯镍：改善导电接触阻抗，增进信号传输，耐磨性高于金。5.镀锡铅：增进焊接能力，快被其他替物取代(因含铅现大部分改为镀亮锡及雾锡)。6.镀银：改善导电接触阻抗，增进信号传输。(银性能最好，容易氧化，氧化后也导电)电镀是利用电解的原理将导电体铺上一层金属的方法。除了导电体以外，电镀亦可用于经过特殊处理的塑胶上。电镀的过程基本如下：镀层金属在阳极待镀物质在阴极阴阳极以镀上去的金属的正离子组成的电解质溶液相连通以直流电的电源后，阳极的金属会氧化（失去电子），溶液中的正离子则在阴极还原（得到电子）成原子并积聚在阴极表层。电镀后被电镀物件的美观性和电流大小有关系，电流越小，被电镀的物件便会越美观；反之则会出现一些不平整的形状。电镀的主要用途包括防止金属氧化(如锈蚀) 以及进行装饰。不少硬币的外层亦为电镀。电镀产生的污水（如失去效用的电解质）是水污染的重要来源。电镀工艺已经被广泛的使用在半导体及微电子部件引线框架的工艺。VCP：垂直连续电镀，电路板使用的新型机台，比传统悬吊式电镀品质更佳。局部镀银铝件电镀液配方工艺流程：高温弱碱浸蚀→清洗→酸洗→清洗→浸锌→清洗→二次浸锌→清洗→预镀铜→清洗→预镀银→氰化光亮镀银→回收洗→清洗→银保护→清洗→烘干。从工艺流程看，所选保护材料必须耐高温（80℃左右）、耐碱、耐酸，其次，保护材料在镀银后能易于剥离。市售的保护材料有可剥性橡胶、可剥性漆、一般粘性胶带及胶带等。分别试验这些保护材料的耐酸、碱腐蚀、耐高温（碱蚀溶液最高温度80℃左右）性能以及可剥离性。

PPF (Pre-Plating frame Finish 预电镀), 作为无铅零锡须危险替代物的一种选择，最初由德州仪器在1989年引入，采用PPF处理的lead frame, 免去了后道电镀工艺post plating（就是指镀锡或锡铅）, 不但符合绿色环保要求，同时能够极大节约后电镀相关的成本，如设备、废水、楼层空间、产能损失和循环时间等。目前normal PPF一般采用NIPdAu这三层 （也有采用镍钯金银的，比如三星的upgrade U-PPF）。镍层较厚，含磷，也较硬。镀层的焊接性能是由镍层来体现的，真正需要焊接形成金属间化物的是镍而不是金，金仅仅是为了保护镍不被氧化或腐蚀，金层在焊接一开始就溶解到焊料之中去了。金层不能太厚，厚的话影响可焊性（上板焊锡），当然金层相对厚一点对WB有利。钯层在镍金层中间，是防止镍与金的直接接触后发生噬金现像导致金层的疏孔。钯的价格相对于金来说不是很贵。有化学镀镍钯金 与电镀镍钯金之分。化学镀是通过化学置换反应将金从溶液中置换到被镀表面，只要置换上来的金将镀层完全覆盖，则该置换反应自动停止，化学镀的工艺相对容易控制，镀金层往往只有约0.03～0.1 微米的厚度，且厚度都均匀一致。电镀镍金是通过施电的方式，在电镀液一定的情况下，通过控制电镀的时间来实现对镀层厚度的控制。PPF (Pre-Plating frame Finish 预电镀), 作为无铅零锡须危险替代物的一种选择，在没有进行PPF的情况下，在封装后线要进行电镀锡工艺（Post plating）。常温下纯锡镀层会长出树枝状的突出物，称之为锡须(晶须)，锡须的生长主要是有电镀层上开始的，具有较长的潜伏期，从几天到几个月甚至几年，锡须的长度太长，会造成导体或零组件之间的短路，一般很难准确预测锡须所带来的危害。 一般来说，锡须有如下的产生原因： 1、锡与铜之间相互扩散，形成金属互化物，致使锡层内压应力的迅速增长，导致锡原子沿着晶体边界进行扩散，形成锡须；2、电镀后镀层的残余应力，导致锡须的生长。 一般的防锡须解决措施：1、电镀雾锡，改变其结晶的结构，减小应力；2、在150摄氏度下烘烤2小时退火；（实验证明，在温度90摄氏度以上，锡须将停止生长） 3、Enthone FST浸锡工艺添加少量的有机金属添加剂，限制锡铜金属互化物的生成；4、在锡铜之间加一层阻挡层，如镍层；5、抑制锡须，现发现的最好办法是在锡中添加铅。人们在多年以前就认识到通过在镀层中掺入铅来解决这个问题，但现在铅已经被认为是有害物质，并被RoHS指令禁止使用。当然锡须也会从铅锡表面生长出来，但是这种锡须要比从纯锡中长出来的锡须短得多。6、添加1～2%的黄金，也具有很好的抑制锡须的作用。

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列 *** 作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片 装片 键合 塑封 去飞边 电镀 打印 切筋和成型 外观检查 成品测试 包装出货。

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