半导体厂里防潮柜的温度范围

1℃～99℃。半导体厂里防潮柜的温度范围是1℃～99℃。控制器采用 LED超高亮数码显示， 湿度显示范围1%～99%RH，温度显示范围1℃～99℃。半导体厂，是正常跑顺的货，需要TA负责跑货及下货。

工厂环境温度一般是18～28摄氏度，湿度的话要分储存和生产环境，储存环境在湿度5%或以下，生产环境湿度40%～60%可以。元件和PCB一般都是真空包装的，但真要储存的话要求放在防潮箱湿度5%以下按照IPC的标准就相当于真空状态，可以无限期存储。

扩展资料：

电子元件保护装置

在过高的电压或电流之中保护电路的被动元件

虽然这些元件，在技术上属于电线、电阻或真空管类，但根据它们的用途列于下方。

有源元件，在半导体类中属于执行保护功能，如下。

保险丝（Fuse）-过电流保护，只能使用一次。

自恢复保险丝（PolySwitch,self-resettingfuse）-过电流保护，可重设后重复使用

金属氧化物压敏电阻、突波吸收器（MOV）-过电压保护，这些是被动元件，不像是TVS

突波电流限制器（Inrushcurrentlimiter）-避免突波电流（Inrushcurrent）造成损坏

气体放电管（GasDischargeTube）

断路器（CircuitBreaker）-过电流致动的开关

积热电驿（ThermalRealy）-过电流致动的开关

接地漏电保护插座（GFCI）或RCD

参考资料来源：

百度百科-电子元件

百度百科-温度

①热处理温度要求：650±5℃；

②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化

由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。

2、热处理的几个温度区间概念：

热施主：350-550℃，代表温度450℃.

450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。

新施主：550-800℃，代表温度650℃.

650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。

沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃

1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。

还原：＞1200℃

＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

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