在本征半导体中掺入"什么"价元素得N型半导体

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

半导体受到外界能量激发（比如光），或者经过掺杂以后，会产生能够自由移动的电子或者空穴（能带理论），这些称为载流子。载流子为电子的半导体成为N型半导体，载流子为空穴的称为P型半导体。当P型半导体和N型半导体接在一起的时候，由于一边缺少电子另一边缺少空穴，电子和空穴就会自发的相对扩散，这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场，随着扩散的进行，这个电场越来越强，直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡，这样就形成了稳定的结区，我们称他为PN结。

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