C7025是什么材料

C7025合金为Cu-Ni-Si合金，为高du性能沉淀硬化铜合金，具有极高强度、高d性、耐热性、搞疲劳性，同时兼备了高导电性等优点，在很多要求高导电性的场合能够替代高d性铍铜。

C7025化学成分如下图：

C7025机械性能如下图：

C7025又称铜镍硅合金，为含有镍和硅的铜合金，硅又称矽，此为高导电率及高d性合金，不需热处理，具有良好之冲压成形性，不含金属铍，故具经济性及不含毒素。具有带色泽美观，高导电性，电热性，耐蚀性，耐氧化性良好，较高的强度，延展性，硬度，耐疲劳性可镀性，可焊性。其有良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件，C7025用于制造需要良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件,如触点d簧、接插件、引线框架。广泛用於继电器、手机零件，以及开关、耳机插座，是可取代低铍含量的铍铜电子铜带为制造集成电路及半导体分立器件的基础原料，如电子电器类集成电路、大中功率管、计量测，发光二极管和LED支架，通信、试仪器、连接器、端子等。

C7025镍硅青铜主要特性：镍硅青铜具有良好的成形性和耐应力松弛性能，导电性适度，可用作触点d簧、接插件和引线框架等。

C7025镍硅青铜有良好的力学性能、抗蚀性和导电性。Ni与Si可形成化合物Ni2Si，于共晶温度1025℃在固溶体中的固溶度可达9％，而室温时的固溶度几乎为零。因此，当合金中的Ni、Si含量比为4：1时，可全部形成Ni2Si，有较强的时效硬化作用，使合金具有良好的综合性能。合金中的Ni/Si比值小于4时，虽有高的强度与硬度，但其电导率与塑性会降低，不利于压力加工。向Cu—Si—Ni合金添加少量(0.1％～0.4％)Mn，可改善合金的性能。因为Mn既有脱氧作用，又有固溶强化效果。

特别的C7025可以进行温度时效处理。其效果就像是再次压延，使材料变的更有硬度及强度，同时又增加导电率及延伸率。

C7025高导电高性能镍矽铜带，又称硅青铜，为含有镍和硅的铜合金，硅又称矽，此为高导电率及高d性合金，不需热处理，具有良好之冲压成形性，不含金属铍，故具经济性及不含毒素，广泛用於继电器、行动电话零件，以及开关、耳机插座，是可取代低铍含量之铍铜。

C7025是铜镍合金,属于白铜类,具有冷加工性优、热成型好,冷热钎焊和气体保护弧焊优等特点。它主要用于制造需要良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件,如触点d簧、接插件、引线框架。其元素含量及物理元素如下图：

C7025相对C5191、C5210而言是一种比较贵一点的磷青铜！属于高电导铜合金片，主要用于高导电性能的产品。

C7025合金为Cu-Ni-Si高性能沉淀硬化铜合金，具有极高强度、高d性、耐热性、高疲劳性，同时兼备了高导电性等优点，在很多要求高导电性的场合能够替代高d性铍铜。

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4J29合金又称可伐(Kovar)合金。该合金在20～450℃具有与硅硼硬玻璃相近的线膨胀系数，居里点较高，并有良好的低温组织稳定性。合金的氧化膜致密，能很好地被玻璃浸润。且不与汞作用，适合在含汞放电的仪表中使用。是电真空器件主要密封结构材料。

在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。

电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动 。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。

复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

扩展资料：

半导体的应用

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应。

参考资料来源：百度百科-半导体

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