图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
IGBT 的工作特性包括静态和动态两类：
1 ．静态特性
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似．也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示
Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh
式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
2 ．动态特性
IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。
IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间
t(off)=td(off)+trv十t(f)
式中，td(off)与trv之和又称为存储时间。
IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1ｕm以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
IGBT的发展历史
1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构（P-N-P-N四层组成），其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。
80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS（双扩散形成的金属-氧化物-半导体）工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较厚的NPT（非穿通）型设计。后来，通过采用PT（穿通）型结构的方法得到了在参数折衷方面的一个显著改进，这是随着硅片上外延的技术进步，以及采用对应给定阻断电压所设计的n+缓冲层而进展的[3]。几年当中，这种在采用PT设计的外延片上制备的DMOS平面栅结构，其设计规则从5微米先进到3微米。
90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成（LSI）工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通（PT）型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。
硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通（NPT）结构，继而变化成弱穿通（LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演变类似的改善。
这次从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是：穿通（PT）技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通（NPT）技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通（NPT）技术又被软穿通（LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓的“软穿通”（SPT）或“电场截止”（FS）型技术，这使得“成本—性能”的综合效果得到进一步改善。
1996年，CSTBT（载流子储存的沟槽栅双极晶体管）使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。目前，包括一种“反向阻断型”（逆阻型）功能或一种“反向导通型”（逆导型）功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导d发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。
现在,大电流高电压的IGBT已模块化,它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外,现在已制造出集成化的IGBT专用驱动电路.其性能更好,整机的可靠性更高及体积更小。
电饭煲是家庭必备的烹饪厨具。有了电饭煲，我们可以很快的吃到香喷喷的米饭。那么，电饭煲哪个牌子好？下面我们就来看看电饭煲十大品牌排名吧！电饭煲十大品牌排名，排行第一位：美的（英文：Midea）
美的Midea，始于1981年，中国驰名商标，上市公司，最具竞争力品牌之一，中国企业500强，大型家电集团，美的集团有限公司。
创业于1968年的美的集团，是一家以家电业为主，涉足物流等领域的大型综合性现代化企业集团，旗下拥有三家上市公司、四大产业集团，是中国最具规模的白色家电生产基地和出口基地之一。
电饭煲十大品牌排名，排行第二位：松下（英文：Panasonic）
松下Panasonic，于1918年日本，世界500强企业，世界品牌，大型跨国公司，全球最大的电子厂商之一，松下电器（中国）有限公司。
Panasonic中文“松下”，由日本松下电器产业株式会社自1918年松下幸之助创业；发展品牌产品涉及家电、数码视听电子、办公产品、航空等诸多领域而享誉全球；更有松下营销文化的积淀，使得该企业品牌跃入《世界品牌500强》排行榜。
电饭煲十大品牌排名，排行第三位：苏泊尔（英文：SUPOR）
苏泊尔SUPOR，中国驰名商标，高新技术企业，浙江省著名商标，全球最大的炊具研发制造商之一，浙江苏泊尔股份有限公司。
浙江苏泊尔股份有限公司是中国最大、全球第二的炊具研发制造商，中国厨房小家电领先品牌。苏泊尔创立于1994年，总部设在中国杭州，目前在杭州、玉环、绍兴、武汉和越南建立了5大研发制造基地，拥有10000多名员工。
电饭煲十大品牌排名，排行第四位：奔腾（英文：POVOS）
POVOS奔腾，原奔腾集团属下厨房电器品牌，2011年10月业务股权全部转让给飞利浦，飞利浦电子（中国）投资有限公司。
上海奔腾企业（集团）有限公司是集家用电器产品研发、制造、销售为一体的综合性高新技术企业。产品包括以剃须刀、电吹风为主的个人护理产品以及电熨斗、挂烫机为主的家居电器产品。凭借战略眼光与不懈努力，历经十余年稳健发展，上海奔腾集团现已发展成为国内一流的专业小家电品牌运营商。
电饭煲十大品牌排名，排行第五位：三洋（英文：SANYO）
三洋SANYO，于1947年日本，中国驰名商标，日本最大的企业集团，世界财富500强企业，三洋电机（中国）有限公司。
三洋电机（日语：三洋电机株式会社）是日本Panasonic旗下的电器公司，全球拥有324间办公室及工厂与约100,000名雇员。
电饭煲十大品牌排名，排行第六位：飞利浦（英文：PHILIPS）
飞利浦PHILIPS，始创于1891年荷兰，中国驰名商标，世界知名品牌，全球100个最具价值品牌，飞利浦电子（中国）投资有限公司。
飞利浦，是世界上最大的电子公司之一，1891年成立于荷兰，主要生产照明、家庭电器、医疗系统。飞利浦现已发展成为一家大型跨国公司，2007年全球员工已达128,100人，在28个国家设有生产基地，在150个国家设有销售机构，拥有8万项专利，实力超群。
电饭煲十大品牌排名，排行第七位：东芝（英文：Toshiba）
东芝Toshiba，创立于1875年日本，世界品牌500强，十大电饭煲品牌，日本最大的半导体制造商，东芝（中国）有限公司。
东芝公司是日本最大的半导体制造商，亦是第二大综合电机制造商，公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成，业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。
电饭煲十大品牌排名，排行第八位：格兰仕（英文：Galanz）
格兰仕Galanz，创于1978年，中国驰名商标，曾获中国名牌，中国家电业最具影响力的龙头企业之一，广东格兰仕集团有限公司。
格兰仕集团是一家定位于“百年企业 世界品牌”的世界级企业，在广东顺德、中山拥有国际领先的微波炉、空调及小家电研究和制造中心，在中国总部拥有13家子公司，在全国各地共设立了60多家销售分公司和营销中心，在香港、首尔、北美等地都设有分支机构。
电饭煲十大品牌排名，排行第九位：九阳（英文：Joyoung）
九阳Joyoung，中国驰名商标，专注于豆浆机领域并积极开拓厨房小家电研发生产和销售，山东济南九阳股份有限公司。
九阳股份有限公司成立于1994年，是一家专注于健康饮食电器的研发、生产和销售的现代化企业。九阳一直保持着健康、稳定、快速的发展已形成了跨区域的现代管理架构，在济南、杭州、苏州等地建有多个生产、研发基地，产品覆盖全国30多个省、市、自治区，并远销日本、美国、新加坡、印尼、泰国等二十多个国家和地区。
电饭煲十大品牌排名，排行第十位：尚朋堂（英文：spt）
尚朋堂，中国小家电行业影响力品牌，国内最早的、较大规模的电磁炉专业生产企业之一，上海元山电器工业有限公司。
尚朋堂国际集团1985年成立于台湾基隆，以电磁炉产品的研发生产起步，是国内最早的电磁炉专业生产企业。
这些型号好多厂家都会生产,但是每个厂家的具体参数有可能不通,所以您要先弄清楚需要哪个厂家 就可以去厂家的网站 进行查找了.A INTECH(美国英特奇公司)
A- INTECH(美国英特奇公司
AC TEXAS INSTRUMENTS [T1](美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
AD ANALOG DEVICES(美国模拟器件公司) http://www.analog.com/
AM ADVANCED MICRO DEVICES（美国先进微电子器件公司） http://www.advantagememory.com/
AM DATA-INTERSIL(美国戴特-英特锡尔公司) http://www.datapoint.com/
AN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
AY GENERAL INSTRUMENTS[G1](美国通用仪器公司)
BA ROHM(日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司) http://www.rohmelectronics.com/
BX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CA RCA(美国无线电公司)
CA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
CA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
CAW RCA(美国无线电公司)
CD FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
CD RCA(美国无线电公司)
CIC SOLITRON(美国索利特罗器件公司)
CM CHERRY SEMICONDUCTOR(美国切瑞半导体器件公司) http://www.cherry-semi.com/
CS PLESSEY(英国普利西半导体公司)
CT SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CX SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXA SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXD SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
CXK DAEWOO(韩国大宇电子公司)
DBL PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
DN AECO(日本阿伊阔公司)
D...C GTE(美国通用电话电子公司微电路部)
EA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
EEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EF THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
EFB PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
EGC THOMSON-SGF(法国汤姆逊半导体公司)
ESM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
F FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
FCM FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
G GTE(美国微电路公司)
GD GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GL GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
GM GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]
HA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
HD HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
HEF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
HM， HZ HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
ICL， IG INTERSIL(美国英特锡尔公司)
IR， IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
ITT， JU ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
KA， KB SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KC SONY(日本索尼公司) http://www.sony.com/
KDA SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
KIA， KID KEC(韩国电子公司)
KM KS SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
L SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
L SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LA SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LB SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LC GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
LF PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
LF NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LH LK SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
LM SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
LM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LM SIGNETICS(美国西格尼蒂公司) http://www.spt.com/
LM FAIRCILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
LM SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
LM PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
LM MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
LM SAMSUNG(韩国三星电子公司) http://www.sec.samsung.com/
LP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
LR LSC SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
M SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
M MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MA ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MAX （美国）美信集成产品公司 http://www.maxim-ic.com/ http://www.maxim-ic.com.cn/
MB FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MBM FUJITSU(日本富士通公司) http://www.fujitsu.com/
MC MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MC PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
MC ANALOG SYSTEMS(美国模拟系统公司) http://www.analog.com/
MF MITSUBISHI(日本三菱电机公司) http://www.mitsubishi.com/
MK MOSTEK(美国莫斯特卡公司)
ML PLESSEY(美国普利西半导体公司)
ML MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司) http://www.mitelsemi.com/
MLM MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
MM NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
MN PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
MN MICRO NETWORK(美国微网路公司)
MP MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MPS MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)
MSM OKI(美国OKI半导体公司) http://www.oki.com/
MSM OKI(日本冲电气有限公司) http://www.oki.com/
N NA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NC NITRON(美国NITROR公司)
NE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
NE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
NE MULLARD(英国麦拉迪公司)
NE SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
NJM NEW JAPAN RADIO(JRC)(新日本无线电公司)
OM PANASONIC(日本松下电器公司) http://www.panasonic.com/
OM SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
RC RAYTHEON(美国雷声公司)
RM RAYTHEON(美国雷声公司)
RH-IX SHARP[日本夏普(声宝)公司] http://www.sharp.com/
S SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
S AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)
SA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAA GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
SAA ITT(德国ITT-半导体公司) http://www.ittcannon.com/
SAB SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAB AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAF SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SAK PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SAS HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
SAS AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
SAS SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SDA (德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SC SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
SE PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SG SILICON GENERAL(美国通用硅片公司) http://www.ssil.com/
SG MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SG PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
SH FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
SI SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SK RCA(美国无线电公司)
SL PLESSEY(英国普利西半导体公司)
SN MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
SN TEXAS INSTRUMENTS(TI)(德国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
SND SSS(美国固体科学公司) http://www.s3.com/
SO SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
SP PLESSEY(英国普利西半导体公司)
STK SANYO(日本三洋电气公司) http://www.sanyo.com/
STR SANKEN(日本三肯电子公司) http://www.sanken-elec.co.jp/
SW PLESSEY(英国普利西半导体公司)
T TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
T GENERAL INSTRUMENTS(GI)(美国通用仪器公司)
TA TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TAA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TAA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TAA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TAA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TAA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TAA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TBA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
TBA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TBA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TBA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
TBA NEC EIECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TBA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TBA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TBA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TBA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TBA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TBA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TBA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TBA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TBA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TC TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TCA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TCA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TCA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TCA MOTOROAL(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TCA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TCA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TCA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TCA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TCA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TCA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TCA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TCM TEXAS INSTRUMENTS[TI](美国德克萨斯仪器公司) http://www.it.com/
TDA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
TDA SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)
TDA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体公司) http://www.motorola.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TDA PLESSEY(英国普利西半导体公司)
TDA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TDA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
TDA AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
TDA ITT(德国ITT半导体公司) http://www.ittcannon.com/
TDA HITACHI(日本日立公司) http://semiconductor.hitachi.com/
TDA SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利-SGS亚特斯半导体公司) http://www.st.com/
TDA PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)
TDA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
TDA RCA(美国无线电公司)
TDA MULLARD(英国麦拉迪公司)
TDA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TDB THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
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TEA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
TEA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
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TM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMM TOSHIBA(日本东芝公司) http://www.toshiba.com/
TMS TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP TEXAS INSTRUMENTS(TI)(美国德克萨斯仪器公司) http://www.ti.com/
TP NATIONAL SEMICONDUCTOR(美国国家半导体公司) http://www.national.com/
TPA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
TUA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
U AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司) http://www.telefunken.de/engl/index_e.html
UAA SIEMENS(德国西门子公司) http://www.siemens.com/
UC SOLITRON(美国索利特罗器件公司) http://www.solitron.com/
ULN SPRAGUE EIECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULN SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
ULN MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
ULS SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
ULX SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司) http://www.sharp.com/
XR TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司) http://www.ti.com/
YM YAMAHA(日本雅马哈公司) http://www.yamaha.co.jp/
UA MOTOROLA(美国莫托罗拉半导体产品公司) http://www.motorola.com/
UA SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司) http://www.spt.com/
UA PHILIPS(荷兰菲利浦公司) http://www.semiconductors.philips.com/
UA FAIRCHILD(美国仙童公司) http://www.fairchildsemi.com/
UAA THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司) http://www.thomson.com/
UPA NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPB NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPC NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC ELECTRON(日本电气公司) http://www.nec-global.com/
UPD NEC-MIRO(美国NEC电子公司微电脑分部) http://www.nec-global.com/
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