什么是半导体的状态密度？

状态密度g（E）就是在能量为E的能带附近单位能量间隔内的量子态数。通俗的讲就是能容纳电子或空穴的个数。量子态密度乘以费米分布函数（量子态被电荷占据的概率）再从导带底到无穷大积分便可求的导带电子浓度。

如果半导体材料是非简并的,则费米能级位于禁带之中,那么费米能级处的允许能态密度趋于0｛即1个能级（费米能级）数除以单位能量区间内的能级数（无穷多）｝.若材料是简并的,则费米能级进入导带或价带,此时费米能级处的允许能态密度就是导带底附近状态密度或价带顶附近状态密度在费米能级处的值.（参刘恩科《半导体物理》第7版68页）

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