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镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD:物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材(金靶,铜靶,Al,Cr.....),金属原子脱离靶材,落在wafer表明,形成薄膜。CVD:化学气相沉积。这个是通过化学反应,在晶圆表面张氧化薄膜。封装测试厂从来料(晶圆)开始,经过前道的晶圆表面贴膜(WTP)→晶圆背面研磨(GRD)→晶圆背面抛光(polish)→晶圆背面贴膜(W-M)→晶圆表面去膜(WDP)→晶圆烘烤(WBK)→晶圆切割(SAW)→切割后清洗(DWC)→晶圆切割后检查(PSI)→紫外线照射(U-V)→晶片粘结(DB)→银胶固化(CRG)→引线键合(WB)→引线键合后检查(PBI);在经过后道的塑封(MLD)→塑封后固化(PMC)→正印(PTP)→背印(BMK)→切筋(TRM)→电镀(SDP)→电镀后烘烤(APB)→切筋成型(T-F)→终测(FT1)→引脚检查(LSI)→最终目检(FVI)→最终质量控制(FQC)→烘烤去湿(UBK)→包装(P-K)→出货检查(OQC)→入库(W-H)等工序对芯片进行封装和测试,最终出货给客户
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热电偶测温时为什么要进行冷端温度补偿?有哪些补偿方法?各适用于什么场合?
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