三氧化钨是柠檬黄色的晶体粉末,密度为7.2~7.4g/cm3,熔点约为1470℃,沸点在1700~2000℃之间,高于800℃时显著升华,三氧化钨生成热202.8卡/mol,钨酐能微溶于水(0.2g/L),不溶于除氢氟酸以外所有的无机酸中。钨酸容易溶于苛性碱溶液(NaOH或KOH)和氨水中,形成钨酸盐[NaWO4、K2WO4和(NH4)2WO4]。在氨溶液中三氧化钨溶解缓慢,加热到高温时溶解更慢。 三氧化钨容易被各种还原剂还原。在常温下,甚至少量的有机物便能使其还原,并改变其颜色。但在空气中加热时又恢复原来颜色。在700~900℃时,三氧化钨很容易被氢、一氧化碳和碳还原成金属钨。
二氧化钨是一种巧克力粉末,密度为10.9~11.1g/cm3,沸点约为1700℃,生成热134千卡/mol,在575~600℃时氢气还原三氧化钨生成二氧化钨。二氧化钨在水、碱溶液、盐酸和稀硫酸中都不溶解。硝酸能将二氧化钨氧化成高价氧化物。二氧化钨在空气中很快地被氧化成三氧化钨,在氧化氮中加热到500℃时变成蓝色氧化物。在1020℃进,二氧化钨可被碳还原成金属钨。
在250~300℃时,用氢气或一氧化碳还原三氧化钨、以及在真空中把三氧化钨加热到200~250℃时,都可得到粉末状的紫色氧化钨(WO2.72)。
以上是在网是查到的资料,WO3按资料上说是柠檬黄色,但我们在做电灯钨丝燃烧实验时,得到的却是白色的粉末,不知是怎么回事。WO2倒是第一次了解,据说纳米WO2有一些特殊的性质,既低维纳米WO2线具有半导体的性质,等。
基本的缺陷反应方程有如下几种:
①、具有弗兰克尔缺陷(具有等浓度的晶格空位和填隙缺陷)的整比化合物M2+X2-:
②、具有反弗兰克尔缺陷的整比化合物M2+X2-:
③、具有肖特基缺陷的整比化合物M2+X2-:
④、肖特基缺陷的整比化合物M2+X2-:
⑤、具有结构缺陷的整比化合物M2+X2-:
例如在某些尖晶石型结构的化合物AB2O4中具有这种缺陷,即
⑥、非整比合物M1-yX(阳离子缺位):
如缺陷反应按上述过程充分进行反应,则有下式成立:
如材料内能导通电流的载流子主要为h·,则这类材料称为P型半导体材料。例如Ni1-yO,Fe1-yO,Co1-yO,Mn1-yO,Cu2-yO,Ti1-yO,V1-yO等在一定条件下均可制成P型半导体材料。
⑦、非整比化合物MX1-y(阴离子缺位):
如缺陷反应按上述过程充分进行反应,则有下式成立:
如材料内能导通电流的载流子主要为e,则这类材料称为N型半导体材料。例如TiO2-y,ZrO2-y,Nb2O5-y,CeO2-y,WO2-y等在一定条件下均可制成N型半导体材料。
⑧、非整比化合物M1+yX(阳离子间隙):
如反应按上述过程充分进行,则有如下反应式:
可见,M1+yX在一定条件下可制成N型半导体材料。Zn1+yO在一定条件下可制成半导体气敏材料。
⑨、非整比化合物MX1+y(阴离子间隙)
如反应按上述过程充分进行,则有如下反应式:
可见,MX1+y在一定条件下为P型半导体材料。如TiO1+y,VO1+y,UO2+y等属于此类型。
不是化合物,是元素。〖元素符号〗∶Wo
〖原子量〗∶250
物理性质∶没有固定的形状。极易冷冻结晶或者沸腾。经过适当处理,则容易软化。为半导体.在一定条件下,有超导现象。
化学性质∶非常活跃。极易和金(Au)、银(Ag)、铂(白金Pt)、金刚石(C)等起强烈的化学反应。半衰期为18年,极易老化。纯粹的样品可以在半率期的时候得到,但切忌将两个样品放在一起,否则较次的一个样品容易变色。
钨有两种氧化物
三氧化二钨 W2O3三氧化钨 WO3
所以不可能是氧化钨。
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