化学镀镍半导体拉力不好的原因

化学镀镍半导体拉力不好的原因,第1张

化学镀镍半导体拉力不好的原因

A . PH值过低,反应慢,沉积速度

B.PH值过高,溶液会反应剧烈,呈沸腾状,出现深灰色镍粉(溶液自然分解的象征)

*** 作中可以添加氨水来补充蒸发了的氨和中和沉积反应时产生的酸4.温度:

温度对沉积速度影响很大,温度俞高,沉淀速度俞快,当温度低于700C 反应已不进行,当温度高于950C时,将大大降低溶液的稳定性,特别是加热不均匀,PH值偏高时,很容易的自然分解

5.镀镍的时间:

时间过长,沉积的镍层过厚,在烧结时会导镍层致脱落,镀镍失败

时间过短,沉积的镍层过薄,烧结渗入芯片中的镍层不足,不会与二次镍足够的接合在一起,导致抗拉力不足。

本公司镀镍工艺采用渐延长时间的镀镍工艺,2-4min,控制镍层在一个比较均匀的范围内

6.烧结:

由于热能的驱动,加上镍是比较活泼的金属,在高温下镍极易向硅层中渗透。

控制点:

A.氮气的流量

因镍在高温下极易氧化,氮气作为保护气体必须提供足够的保护作用B.推拉杆的速度:

推进的速度过快:热应力过大,层与硅层的附着性降低

拉出的速度过快:芯片过热的情况下拉至炉口导致镍层氧化C.在炉口冷却足够时间:

防止芯片镍层氧化

7.去氧化镍及清洗:

目的:

A.去没有烧渗入硅层内部多余的镍层及氧化镍,为二次镍作与一次镍结合提供清洁,无杂质干扰的环境

B.如氧化镍除去不净,它会增高VF

工艺条件:

85℃热硝酸浸泡4min,浸1:10HF30秒,振清洗10:15min.

控制重点:

A.将一次镍外表的氧化镍及其它杂质振荡清洗撤底,如清洗不净会导致一次镍与二次镍之间的结合不良,最终导致一次镍与二次镍之间的

不是化合物,是元素。

〖元素符号〗∶Wo

〖原子量〗∶250

物理性质∶没有固定的形状。极易冷冻结晶或者沸腾。经过适当处理,则容易软化。为半导体.在一定条件下,有超导现象。

化学性质∶非常活跃。极易和金(Au)、银(Ag)、铂(白金Pt)、金刚石(C)等起强烈的化学反应。半衰期为18年,极易老化。纯粹的样品可以在半率期的时候得到,但切忌将两个样品放在一起,否则较次的一个样品容易变色。

钨有两种氧化物

三氧化二钨 W2O3三氧化钨 WO3

所以不可能是氧化钨。


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